【ITBEAR科技資訊】11月8日消息，近日，面對消費級存儲市場低迷，高帶寬存儲器(HBM)技術嶄露頭角，據最新報告，三星和美光兩家知名公司正積極籌備擴展HBM DRAM產能，為未來的技術挑戰和市場需求做好準備。
三星電子不遺余力，投入了105億韓元，完成了對其位于韓國天安市的工廠和設備的一輪收購，旨在擴大HBM產能。此外，三星計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建封裝線，加強其HBM生產能力。據了解，三星電子已經成功開發出速度達9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品，這標志著他們在HBM領域的積極發展。而更令人期待的是，三星電子正在全力開發HBM4技術，計劃在2025年正式發布。HBM4的研發涵蓋多個技術領域，包括高溫熱特性和混合鍵合(HCB)優化的非導電膠膜(NCF)組裝技術等，以應對未來市場需求。
美光也在積極擴大HBM生產，于11月6日在臺中設立了新工廠，該設施將集成先進的測試和封裝功能，并專注于大規模生產HBM3E和其他相關產品。美光首席執行官Sanjay Mehrotra透露，他們計劃在2024年初開始大規模出貨HBM3E，這一技術目前正在接受NVIDIA的認證，初期產品將采用8-Hi堆棧設計，容量達到24GB，帶寬超過1.2TB/s。而更大容量的36GB 12-Hi堆棧HBM3E也計劃在2024年推出，美光預計新的HBM技術將在2024年為公司貢獻“數億美元”的收入，展現出市場前景的廣闊。【ITBEAR科技資訊】根據市場趨勢，HBM技術將成為存儲行業的重要驅動力，同時也將滿足人工智能、數據中心、邊緣計算和云服務等不斷增長的應用需求。
