【ITBEAR科技資訊】10月27日消息，全球領(lǐng)先的硅晶圓制造商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長(zhǎng)徐秀蘭近日宣布，公司已成功攻克生產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓的多項(xiàng)技術(shù)難題，成功將SiC晶圓規(guī)格推升至8英寸，并與國(guó)際同行齊頭并進(jìn)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，徐秀蘭預(yù)計(jì)，公司將于2024年第四季度開始小批量生產(chǎn)8英寸SiC產(chǎn)品，而在2025年，其產(chǎn)量將迎來大幅增長(zhǎng)，到2026年，8英寸SiC晶圓的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將超過6英寸晶圓。
環(huán)球晶圓表示，目前已經(jīng)有效控制了8英寸晶圓的良率，超過50%，并且未來還存在進(jìn)一步提升的潛力。明年上半年，公司計(jì)劃開始交付相關(guān)8英寸SiC晶圓樣品。
徐秀蘭指出，客戶普遍期望環(huán)球晶圓順利完成從6英寸到8英寸SiC晶圓的量產(chǎn)過渡，尤其是來自汽車領(lǐng)域的主要客戶。
環(huán)球晶圓還特別設(shè)計(jì)和開發(fā)了一款碳化硅晶體生長(zhǎng)爐，通過提高材料質(zhì)量控制和降低晶體生長(zhǎng)成本，增強(qiáng)了SiC晶圓的生產(chǎn)效率。
SiC晶圓因其高硬度和脆性而在加工過程中具有挑戰(zhàn)性，但環(huán)球晶圓采用更高的工藝精度和更高效的晶圓處理方法，成功實(shí)現(xiàn)了超薄SiC晶圓的精密加工，為未來的SiC應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支持。
