【ITBEAR科技資訊】10月9日消息，據韓國媒體ChosunBiz報道，最新的數據顯示，三星電子和臺積電的3納米(nm)工藝制程的良率目前都穩定在約50%左右。
這一消息表明，先前的報道曾稱三星電子的3nm良率超過60%，并已向中國客戶交付了一款芯片。然而，有分析人士指出，這款芯片雖然采用了3nm工藝，但由于省略了邏輯芯片中的SRAM(靜態隨機存儲器)，因此難以被視為“完整的3nm芯片”。
據ITBEAR科技資訊了解，盡管三星電子率先實現了3nm全柵極技術(GAA)的量產，但其產量仍不足以滿足大客戶的需求。這一新技術要求柵極環繞晶體管電流通道的四邊，相對于先前的三邊環繞工藝而言更為復雜。一位知情人士透露稱：“要贏得像高通這樣的大客戶，明年的3nm移動芯片訂單，良率至少需要提高到70%。”
與此同時，臺積電雖然是目前唯一一家實現3nm量產的公司，但其產量仍然低于最初的預期。一些分析師認為，臺積電在3nm工藝中仍然采用了與上一代工藝相同的FinFET結構，可能未能解決過熱問題。
目前，三星和臺積電仍在努力提高3nm工藝的良率，以達到60%以上的目標。臺積電計劃在明年量產N3E、N3P、N3X、N3AE等系列芯片，重點是提高良率以降低生產成本。
此外，一位半導體業內人士透露，三星、臺積電和英特爾都在積極準備2nm工藝，盡管與3nm相比，性能和功耗效率的提升并不顯著。因此，3nm工藝芯片的需求預計將持續超出預期。
在此之前，天風國際分析師郭明錤曾在社交媒體上指出，蘋果iPhone 15 Pro系列的過熱問題與臺積電的3nm制程無關。他表示：“我的調查表明，iPhone 15 Pro系列的過熱問題主要可能是為了減輕重量而對散熱系統設計進行妥協，例如散熱面積較小、采用鈦合金等影響散熱效果的因素。預計蘋果將通過軟件更新來解決這個問題，但如果不犧牲處理器性能，改善效果可能有限。如果蘋果無法妥善解決這個問題，可能會對iPhone 15 Pro系列產品的銷售產生不利影響。”
