【ITBEAR科技資訊】10月19日消息，三星，作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商之一，近日披露了其龐大的V-NAND(或稱3D NAND)發(fā)展計(jì)劃的新信息。該公司正式宣布，他們正在如期制造第九代V-NAND閃存，擁有超過300層的結(jié)構(gòu)，這將成為全行業(yè)最高層數(shù)的3D NAND產(chǎn)品。
三星電子總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培在一篇博客文章中寫道：“第九代V-NAND采用雙層結(jié)構(gòu)，層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平，預(yù)計(jì)明年初將投入批量生產(chǎn)。”
早在8月份就有關(guān)于三星研發(fā)第九代V-NAND擁有超過300層結(jié)構(gòu)的消息，而且繼續(xù)采用了三星在2020年首次使用的雙層技術(shù)。三星如今明確表示，他們的3D NAND有效層數(shù)將超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而目前已知SK海力士的下一代3D NAND將具有321層，因此三星的第九代V-NAND層數(shù)應(yīng)會(huì)更多。
增加層數(shù)將有助于提高三星3D NAND設(shè)備的存儲(chǔ)密度。該公司預(yù)測(cè)未來的閃存類型將不僅提高存儲(chǔ)密度，還將提高性能。
李政培表示：“三星正在研究下一代具有創(chuàng)新價(jià)值的技術(shù)，包括一種新的結(jié)構(gòu)，可以最大化V-NAND的輸入/輸出(I/O)速度。”
目前，尚不清楚三星的第九代V-NAND在性能方面將表現(xiàn)如何，但有理由相信，該公司將利用這種存儲(chǔ)器來生產(chǎn)即將推出的固態(tài)硬盤，可能會(huì)采用PCIe Gen5接口。
至于更長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新，三星正在努力將單元干擾最小化，減小尺寸，以最大化垂直層數(shù)，這將對(duì)實(shí)現(xiàn)擁有超過1000層的3D NAND以及高度差異化的存儲(chǔ)解決方案產(chǎn)生關(guān)鍵影響。
