【ITBEAR科技資訊】10月19日消息，三星電子，作為全球最大的NAND閃存供應商之一，正積極推進其V-NAND(又被稱為3D NAND)技術的發展，引領著3D NAND技術的未來。最新消息顯示，三星計劃推出業內層數最多的第九代V-NAND閃存，層級高達超過300層。
三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培(Lee Jung-Bae)在一篇博客文章中宣布了這一重要消息，他指出第九代V-NAND將采用雙層結構，并預計將于明年初開始量產。這一消息早在8月份就曾傳聞，當時便有消息稱三星正在研發第九代V-NAND，層級將超過300層，依然延續三星自2020年首次采用的雙層技術。與目前競爭對手SK 海力士的下一代321層3D NAND相比，三星的第九代V-NAND層數將更多，進一步鞏固了三星在3D NAND技術領域的領先地位。
這一層級的提升將使三星能夠顯著提高其3D NAND設備的存儲密度，不僅能夠實現更大的存儲容量，還將提高性能。李政培表示：“三星還在積極研究下一代技術，包括一種新的結構，能夠最大化V-NAND的輸入/輸出(I/O)速度。”
目前，尚不清楚第九代V-NAND在性能方面的具體表現，但可以預見，三星將利用這一技術來生產即將推出的固態硬盤，可能會采用PCIe Gen5接口，為用戶提供更快速的數據傳輸速度。
此外，長期而言，三星還在努力實現技術創新，致力于降低單元干擾，減小設備尺寸，最大化垂直層數，以實現業內最小的單元尺寸。這些創新將對三星未來的技術愿景產生關鍵影響，有望推動三星實現擁有超過1000層的3D NAND以及高度差異化的存儲器解決方案。【ITBEAR科技資訊】了解到，三星將繼續引領3D NAND技術的創新發展，助力存儲行業的不斷進步。
