【ITBEAR科技資訊】10月20日消息，美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.)日前宣布，他們已成功將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1β(1-beta)制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的DDR5內(nèi)存，開(kāi)創(chuàng)了一項(xiàng)重要的突破。這一1β DDR5 DRAM內(nèi)存的系統(tǒng)速率高達(dá)7,200 MT/s，如今已經(jīng)向數(shù)據(jù)中心和個(gè)人電腦市場(chǎng)的所有客戶交付。這一創(chuàng)新內(nèi)存采用了先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝，四相時(shí)鐘以及時(shí)鐘同步技術(shù)，相對(duì)于上一代產(chǎn)品，性能提升了高達(dá)50%，而每瓦性能也提高了33%。
隨著為了滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載需求，CPU內(nèi)核數(shù)量不斷增加，系統(tǒng)對(duì)更高內(nèi)存帶寬和容量的需求也顯著增長(zhǎng)，這也在解決“內(nèi)存墻”挑戰(zhàn)的同時(shí)優(yōu)化了客戶的總體擁有成本。美光的1β DDR5 DRAM內(nèi)存支持更高性能的計(jì)算能力擴(kuò)展，能夠勝任數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)上的人工智能(AI)訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析以及內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)(IMDB)等各種應(yīng)用。全新的1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線提供了從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現(xiàn)有模塊密度，以滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端應(yīng)用的多樣需求。
美光核心計(jì)算設(shè)計(jì)工程部門企業(yè)副總裁Brian Callaway表示：“1β DDR5 DRAM內(nèi)存的量產(chǎn)和交付標(biāo)志著本行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們將與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和客戶緊密協(xié)作，共同推動(dòng)高性能內(nèi)存產(chǎn)品在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用。”
此外，美光的1β技術(shù)已經(jīng)成功應(yīng)用在多種內(nèi)存解決方案中，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM、采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X、HBM3E以及GDDR7。美光的全新16Gb DDR5內(nèi)存將通過(guò)直銷渠道和合作伙伴供應(yīng)。這一重要技術(shù)進(jìn)展將為行業(yè)帶來(lái)更多的創(chuàng)新機(jī)會(huì)，加速了高性能內(nèi)存產(chǎn)品的推廣與應(yīng)用。
