SK 海力士剛剛公布了下一代高帶寬內存（HBM3）的技術規格，可知其在提升傳輸速率和增大容量的同時，還引入了散熱方面的最新改進。具體說來是，該公司的 HBM3 產品將提供高達 665 Gbps 的帶寬、翻倍的容量、以及下一代散熱解決方案。在官方產品頁上，SK 海力士還分享了一張對比圖表，以直觀地展示從 HBM2E 到 HBM3 的變化。這家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望實現 5.2 Gbps 的 I/O 速率，較現有的 HBM2E 提升 44%，從而大幅提升整體的內存帶寬。
憑借更快的 HBM 解決方案，SK 海力士致力于引領高帶寬顯存市場。而該公司正在開發的 HBM3，還能夠以 5.2 Gbps 的 I/O 速率，達成超過 665 GB/s 的帶寬。
HMB2E 的帶寬僅能達到 460 Gbps（來自：SK Hynix 官網）
與現有的 DRAM 相比，新一代產品將迎來 44% 的性能提升。與此同時，SK 海力士將進一步完善在 HBM2E 上首次引入的相關創新，比如為 HBM3 上配備增強版的散熱解決方案。
具體說來是，它能夠在溫度減少 14 ℃ 的情況下，為 HBM2E 帶來 36% 的散熱效果改善。所以在 HBM3 上，我們期待著它能夠帶來更大的驚喜。
英偉達 GA100 Ampere 計算卡
容量方面，我們預計初代 HBM3 會與 HBM2E 持平。后者基于 16Gb DRAM 芯片，由 8-hi 堆棧達成總計 16GB 容量。不過隨著 JEDEC 敲定最終規范，我們預期 HBM3 的存儲密度會進一步增加。
如果進展順利，我們或于明年晚些時候，見到搭載 HBM3 高帶寬顯存的下一代 CNDA 架構的 AMD Instinct 加速卡、英偉達的 Hopper GPU、以及英特爾 Xe-HPC 架構的高性能計算加速器等產品。
