【ITBEAR科技資訊】8月9日消息，近日，韓國半導體制造巨頭SK海力士在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的“2023閃存峰會”上宣布了令人矚目的技術突破。據了解，SK海力士公布了其最新研發的321層1TB TLC 4D NAND閃存的進展情況，并展示了目前開發階段的樣品。
作為業界領先者，SK海力士成為首家披露300層以上NAND技術進展的公司。該公司表示，他們將在238層NAND的基礎上進一步推進321層NAND的研發，旨在在2025年上半年開始量產。據SK海力士相關負責人透露：“我們在已經量產的238層NAND的技術積累上，有序地推進著321層NAND的研發工作，為即將到來的300層NAND時代做好充分準備，繼續引領市場潮流。”
這項新技術的優勢在于，相比上一代的238層512Gb NAND，321層1TB TLC NAND的效率提升了59%。這一成就得益于數據存儲單元的更多堆疊，使得在同一芯片上實現了更大的存儲容量，同時也提高了每個晶圓上芯片的產出數量。
據ITBEAR科技資訊了解，隨著生成型人工智能市場的不斷蓬勃發展，對于高性能、高容量存儲器的需求也在迅速增加。在這次峰會上，SK海力士還推出了面向這些需求的下一代NAND產品解決方案，其中包括采用PCIe 5(Gen5)接口的企業級固態硬盤(eSSD)和UFS 4.0。這些產品將提供世界級領先性能，以滿足追求高性能的客戶的需求。
此外，SK海力士還表示，基于目前的產品技術積累以及不斷優化的企業內部解決方案，他們正在積極研發下一代PCI 6.0和UFS 5.0產品，旨在未來繼續引領市場趨勢。
SK海力士NAND閃存開發擔當副社長崔正達在他的主題演講中表示：“通過開發第五代4D NAND 321層閃存產品，我們將進一步鞏固品牌在NAND技術領域的領先地位。公司將致力于推出適應人工智能時代需求的高性能、大容量NAND產品，繼續引領行業的發展。”
