【ITBEAR科技資訊】8月30日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱"東芝")今日宣布推出了全新的創新性產品，將引領工業設備領域的發展。這款被命名為"MG250YD2YMS3"的2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊，標志著東芝在高壓、高功率領域的巨大進步。
近年來，隨著可再生能源的迅速崛起，光伏發電系統和儲能系統等應用正成為關注的焦點。在這些領域，直流(DC)1500V的使用逐漸變得普遍，然而市場上卻缺乏相應的高壓功率器件。針對這一現狀，東芝推出了業界首款2200V的SiC MOSFET模塊，填補了市場空白，為工業應用帶來了更多可能性。
據ITBEAR科技資訊了解，"MG250YD2YMS3"模塊采用了東芝自家研發的第三代SiC MOSFET芯片，具備出色的性能指標。其漏極電流(DC)額定值高達250A，遠超過傳統功率器件的水平。在導通和關斷過程中，模塊表現出低導通損耗和僅為0.7V的低漏極-源極導通電壓，有效提高了能源轉換效率。
除了性能的顯著提升外，"MG250YD2YMS3"還具備出色的損耗特性。相較于傳統的硅(Si)IGBT，該模塊在開通和關斷過程中分別降低了約90%的損耗，為工業設備的高效運行帶來了更多優勢。這也使得用戶在設計電路時可以考慮采用更少的模塊數量，從而實現設備的小型化。
作為一家致力于持續創新的公司，東芝通過這一創新性產品展示了其對高效率和工業設備小型化的承諾。"MG250YD2YMS3"模塊的推出將進一步推動可再生能源和儲能系統等領域的發展，為未來的工業應用開辟更加廣闊的前景。
