【ITBEAR科技資訊】9月5日消息，日本東北大學的科研人員最近成功開發出一種具有潛力的材料，或將為相變存儲器領域帶來新的突破。他們利用濺射技術，成功制備了碲化鈮(NbTe4)材料，據稱該材料在存儲和熱性能方面表現出色，或可應用于相變存儲器的制造，為該領域提供更多的原材料選擇，同時降低相關制造成本。
相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)作為一種新型存儲技術，一直受到關注。相對于傳統的閃存存儲器，PCM利用相變材料的固態和液態相變特性來實現數據的存儲和讀取，具備讀寫速度更快、存儲密度更高、功耗更低以及尺寸更小的優勢。然而，由于制造相變存儲器介質的成本較高，目前該技術主要局限于企業級應用，尚未在家庭市場得到廣泛應用。
據了解，研究人員采用了濺射技術，將碲化鈮(NbTe4)材料成功地制備出來。濺射技術是一種常用的材料薄膜制備技術，它能夠將材料薄膜沉積到基底上，實現對膜厚和成分的精確控制。研究人員在高于272℃的溫度下進行退火，使得碲化鈮(NbTe4)結晶，這種材料具有超低的熔點約為447℃，因此在物理上相對穩定，適合用于制造相變存儲器。
經過對該材料晶體的評估，研究人員發現，與傳統的相變存儲器材料相比，碲化鈮(NbTe4)晶體具有更高的熱穩定性，并且其從結晶態到液態的相變速度約為30納秒，顯示出作為相變存儲器原材料的潛力。東北大學材料科學高等研究所助理教授Shuang表示：“碲化鈮(NbTe4)具備低熔點、高結晶溫度和優異的相變性能，為高性能相變存儲器的開發提供了新的可能性，這或許是解決相變存儲器成本挑戰的理想材料之一。”
通過這項研究，科學家們為相變存儲器技術的進一步發展開辟了新的途徑。碲化鈮(NbTe4)作為一種具備卓越性能和潛力的材料，有望在未來為存儲領域帶來更多的創新，推動存儲器技術的不斷演進。雖然相變存儲器技術目前仍然處于企業級階段，但隨著研究的不斷深入，相信它有望逐漸走向家庭市場，為普通消費者帶來更快、更高密度的存儲解決方案。
