隨著半導(dǎo)體工藝深入到5nm以下，制造難度與成本與日俱增，摩爾定律的物理極限大約在1nm左右，再往下就要面臨嚴(yán)重的量子隧穿難題，導(dǎo)致晶體管失效。
當(dāng)然，各大廠商的先進(jìn)工藝在實(shí)際尺寸上都是有水分的，所以紙面意義上的1nm工藝還是會(huì)有的，臺(tái)積電去年就組建團(tuán)隊(duì)研發(fā)1.4nm工藝，日前CEO劉德音又表示已經(jīng)在探索比1.4nm更先進(jìn)的工藝了。
1.4nm再往下就是1nm工藝了，這也是半導(dǎo)體行業(yè)都在追求的工藝，去年IMEC歐洲微電子中心公布的路線圖顯示，2nm工藝之后是14A，也就是1.4nm工藝，預(yù)計(jì)2026年問世，再往后就是A10工藝，也就是1nm，2028年問世。
當(dāng)然，實(shí)際能量產(chǎn)的時(shí)間可能會(huì)比2028年晚一些，畢竟新技術(shù)不跳票是不可能的。
與此同時(shí)，在2nm節(jié)點(diǎn)之后的新工藝研發(fā)生產(chǎn)中，EUV光刻機(jī)也要大升級(jí)一次，ASML預(yù)計(jì)會(huì)在2026年推出High NA技術(shù)的下一代EUV光刻機(jī)EXE:5000系列，將NA指標(biāo)從當(dāng)前的0.33提升到0.55，進(jìn)一步提升光刻分辨率。
但是下一代EUV光刻機(jī)的代價(jià)也很高，售價(jià)會(huì)從目前1.5億美元提升到4億美元以上，最終價(jià)格可能還要漲，30億一臺(tái)設(shè)備很考驗(yàn)廠商的成本控制。
來源：快科技
