人工智能大規模應用帶火HBM（ 高帶寬存儲器）。
科技巨頭排隊購買
據科技媒體報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存 HBM3E。半導體行業內部人士稱， 各大科技巨頭已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括 AMD、微軟和亞馬遜等等。
AMD最近透露了其下一代GPU MI300X，表示它將從SK海力士和三星電子獲得HBM3供應。除英偉達和AMD之外，亞馬遜和微軟則是云服務領域的兩大巨頭，之前已引入生成式人工智能技術，并大幅追加了對于AI領域的投資。
報道稱，SK海力士正忙于應對客戶對HBM3E樣品的大量請求，但滿足英偉達首先提出的樣品數量要求非常緊迫。
SK海力士于2021年10月宣布成功開發出容量為16 GB的HBM3 DRAM，在2022年6月初即宣布量產。HBM3E是HBM3的下一代產品， SK海力士是目前世界上唯一一家能夠大規模生產HBM3芯片的公司。
AI服務器帶火HBM
HBM即為高帶寬存儲器，是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內存芯片，具有更高帶寬、更多I/O數量、更低功耗、更小尺寸等優點。
HBM突破了內存容量與帶寬瓶頸，可以為GPU提供更快的并行數據處理速度，打破“內存墻”對算力提升的桎梏，被視為GPU存儲單元理想解決方案。AI服務器對帶寬提出了更高的要求，而HBM基本是AI服務器的標配，超高的帶寬讓HBM成為了高性能GPU的核心組件。
今年5月，英偉達宣布推出大內存AI超級計算機DGX GH200，該產品集成最多達256個GH200超級芯片，是DGX A100的32倍。機構推測，在同等算力下，HBM存儲實際增量為15.6倍。
在DRAM的整體頹勢之中，HBM卻在逆市增長。據媒體報道，2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加， HBM3規格DRAM價格上漲5倍。為應對人工智能半導體需求增加，有消息稱SK海力士將追加投資高帶寬存儲器（HBM）產線， 目標將HBM產能擴大2倍。
6月28日，TrendForce集邦咨詢發表研報稱，目前高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流， 預計2023年全球HBM需求量將增近六成，達到2.9億GB，2024年將再增長30%。
集邦咨詢預計，目前英偉達A100、H100、AMD MI300，以及大型云服務提供商谷歌、AWS等自主研發的ASIC AI服務器增長需求較為強勁，預計2023年AI服務器出貨量（含GPU、FPGA、ASIC等）在120萬臺，年增長率近38%。AI芯片出貨量同步看漲，預計今年將增長50%。
HBM未來市場規模超20億美元
中金公司表示，隨著模型的進一步復雜化，推理側采用Nvidia A100/H100 等中高端GPU是大勢所趨，HBM的滲透率有望快速提升。據測算， 到2025年HBM整體市場有望達到20億美元以上。
證券時報·數據寶統計，A股公司中，HBM產業鏈主要包括 雅克科技、拓荊科技、中微公司、香農芯創、華海誠科等。
雅克科技子公司UP Chemical是韓國存儲芯片龍頭SK海力士核心供應商，供應海力士HBM前驅體。國盛證券表示，隨著HBM堆疊DRAM裸片數量逐步增長到8層、12層，HBM對DRAM材料用量將呈倍數級增長。同時，前驅體單位價值量也將呈倍數級增長，前驅體有望迎來嶄新發展機遇。
ALD沉積（單原子層沉積）在HBM工藝中不可或缺， 拓荊科技是國內ALD設備的主要供應商之一，公司PEALD產品用于沉積SiO2、SiN等介質薄膜，在客戶端驗證順利。
TSV技術（硅通孔技術）是HBM的核心技術之一， 中微公司是TSV設備主要供應商。硅通孔技術為連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結構，可以穿過硅基板實現硅片內部垂直電互聯，是實現2.5D、3D先進封裝的關鍵技術之一。
香農芯創子公司聯合創泰是SK海力士的代理商，向SK海力士采購的產品為數據存儲器。公司表示AI算力需求的提升有利于提升高性能存儲芯片的銷售，對公司的營業額和利潤有積極的影響。
華海誠科公司的顆粒狀環氧塑封料用于HBM的封裝，公司表示應用于HBM的材料已通過部分客戶認證。
聯瑞新材表示，HBM封裝高度提升、散熱需求大的問題，顆粒封裝材料（GMC）中就需要添加球硅和球鋁，公司部分客戶是全球知名的GMC供應商。
國芯科技表示，目前正在研究規劃合封多HBM內存的2.5D的芯片封裝技術，積極推進Chiplet技術的研發和應用。
長電科技表示，子公司星科金朋具備超過20年的高性能存儲器芯片成品制造量產經驗，已經和國內外存儲類產品廠商在高帶寬存儲產品的后道制造領域有廣泛的合作。
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責編：葉舒筠
