關于如何挑選內存，玩家對容量、頻率、電壓、顆粒來源等等參數早已了然于心。不過對于內存的時序，它究竟有什么用處，對性能有何影響，相信不少玩家都答不上來。最近影馳對內存時序進行了一個簡單的科普，快來了解一下吧。
內存時序一般由中間用破折號隔開的4個數字組成，這些數字都表示延遲，也就是內存的反應時間。當內存接收到CPU發來的指令后，通常需要幾個時鐘周期來處理它，比如訪問某一塊數據，這就對應時序參數。這個處理時間越短，內存性能越好。
內存時序4個數字對應的參數分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時間周期。其中CL是一個準確的值，任何改動都會影響目標數據的位置，所以它在時序當中是最關鍵的一個參數，對內存性能的發揮著舉足輕重的作用。
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數
tRCD（RAS to CAS Delay）：內存行地址傳輸到列地址的延遲時間
tRP（RAS Precharge Time）：內存行地址選通脈沖預充電時間
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間
所以在保障穩定性的前提下，內存時序越低越好，而高頻率和低時序是個矛盾體，一般頻率上去了，時序就得有所犧牲，要想足夠低的時序，頻率又很難拔高。
最后還放了一個測試成績圖，在內存頻率不變的情況下，可以看到，內存的性能隨著時序的變小而不斷變強。
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