進(jìn)入下半年，全國5G基站的建設(shè)進(jìn)一步加速。工信部部長苗圩曾在全國兩會期間表示,現(xiàn)在每周大概增加1萬多個5G基站，預(yù)計到年底中國的5G基站將超過70萬站。作為引領(lǐng)經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的5G新基建，這一龐大的建設(shè)工程將為5G的網(wǎng)絡(luò)覆蓋和能力提升提供極大助力。
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5G的增強(qiáng)移動帶寬、高可靠低時延、海量物聯(lián)三大運用場景將催生物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、AR/VR、超高清視頻等領(lǐng)域的發(fā)展。海量數(shù)據(jù)的增加將對計算機(jī)計算能力帶來挑戰(zhàn)，對存儲提出更大的需求。
作為致力于國產(chǎn)化替代的民族企業(yè)，宏旺半導(dǎo)體ICMAX的存儲芯片產(chǎn)品不僅廣泛運用在企業(yè)、家庭和個人的光貓、路由器等網(wǎng)通設(shè)備，還加速進(jìn)入5G核心網(wǎng)、骨干網(wǎng)等基站建設(shè)內(nèi)部，致力于為5G建設(shè)提供完全國產(chǎn)化的存儲器產(chǎn)品。
隨著3D NAND閃存芯片生產(chǎn)工藝的成熟，以及產(chǎn)能的不斷提高，閃存芯片的成本也在不斷下降。據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年全球內(nèi)置存儲市場同比下降3.0%，但中國全閃存陣列將繼續(xù)保持高增長。經(jīng)IDC預(yù)測，2020年中國全閃存存儲市場增長速率將達(dá)到40%。這也顯示了閃存芯片在國內(nèi)市場的巨大潛力。
在這一背景下，宏旺半導(dǎo)體推出了迎合當(dāng)前市場需求的eMMC、eMCP、SLC NAND FLASH等閃存芯片，經(jīng)過全方位的測試與驗證，在容量及性能方面已得到行業(yè)內(nèi)的認(rèn)可。
eMMC
eMMC采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口，將NAND Flash及其控制芯片封裝在一顆BGA芯片內(nèi)，極大地滿足了用戶高性能、高可靠性的存儲需求。宏旺半導(dǎo)體推出的eMMC具有高效、高速、高兼容、高帶寬、持續(xù)穩(wěn)定等特性。
推出的11.5×13.0×1.0mm的尺寸規(guī)格，能適用于不同規(guī)格的產(chǎn)品；讀寫速度快，eMMC5.1最大讀取速度是136MB/s 、寫入速度是80MB/s；容量范圍廣泛，最高可達(dá)128GB；能滿足各種嚴(yán)苛環(huán)境下的存儲需求，消費級工作溫度為 -25°C~70°C ，工業(yè)級的為-40°C~85°C。
eMCP
采用原裝NAND Flash晶片及先進(jìn)的BGA封裝工藝，把eMMC和LPDDR進(jìn)行精密地整合封裝，從而實現(xiàn)了小體積內(nèi)的一體化，大數(shù)據(jù)后的高效化、智能化。具有獨創(chuàng)的ECC、CRC、斷電保護(hù)、固件備份、均衡磨損等特性，可有效幫助客戶提升使用效率，降低使用成本，提升存儲體驗，提高產(chǎn)品的持續(xù)性與穩(wěn)定性。同時，與MTK、展訊、高通等各大主流平臺高度兼容，不用擔(dān)心產(chǎn)品適配性問題。
SLC NAND FLASH
SLC NAND FLASH是一種高性能、高性價比的存儲解決方案，彌補(bǔ)了SPI NOR FLASH容量低、價格高、速度低的缺陷，可提供更高的可靠性、更健壯的糾錯性能、更長期的產(chǎn)品生命周期。為確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性，宏旺半導(dǎo)體的Parallel SLC NAND采用工業(yè)級SLC，經(jīng)過了嚴(yán)格的封裝、測試和認(rèn)證，以滿足高階應(yīng)用市場對高速度、高質(zhì)量、高可靠性的需求。
由于疫情的影響，智能手機(jī)進(jìn)入存量博弈時代，但軟件運用不斷豐富推升消費者對手機(jī)內(nèi)存的需求，大內(nèi)存成為各大終端廠商新型智能手機(jī)的賣點。根據(jù)DRAMExchange數(shù)據(jù)，2019年全球智能手機(jī)平均DRAM容量約為4.4GB，2020年有望提升至5GB，同比增長13.6%。
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5G移動通訊技術(shù)落地運用將掀起新一輪換機(jī)熱潮，智能手機(jī)有望重回正增長，DRAM更是需求進(jìn)一步擴(kuò)大。根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，2019年至2021年我國mobile DRAM市場規(guī)模復(fù)合增長率將達(dá)到27.99%。
在這一片藍(lán)海市場中，宏旺半導(dǎo)體推出的DDR、LPDDR廣運用于手機(jī)、平板機(jī)頂盒、智慧音箱、安防攝像機(jī)、可穿戴設(shè)備中，并一直保持著穩(wěn)定的增長。兩個產(chǎn)品的區(qū)別主要體現(xiàn)在通道寬度上，LPDDR 沒有固定的總線寬度，目前最常見的為32位總線，總線位數(shù)更低，同時采用更低的電壓，能夠大大降低LPDDR的待機(jī)功耗。
LPDDR
LPDDR全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一種，以低功耗著稱。宏旺半導(dǎo)體目前已推出 LPDDR3/4/4×，并且已量產(chǎn)的LPDDR4X容量最高達(dá)64Gb，封裝尺寸為VFBGA 200Ball 10.0×14.5mm 等，工作溫度-25°C~85°C ，工作電壓1.35V/1.5V，工作頻率1866Mhz等，具備高性能的多任務(wù)處理功能，能迅速流暢地應(yīng)對龐大、復(fù)雜的工作環(huán)境。
DDR
DDR作為應(yīng)用最廣泛的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，被應(yīng)用于路由器、光貓等設(shè)備中，DDR允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM 的兩倍。以宏旺半導(dǎo)體推出的高品質(zhì)DDR4為例，容量為256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16，封裝尺寸為BGA 96Ball 8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm，工作溫度0°C~85°C，并具有2666 Mbps 的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數(shù)據(jù)，可以快速、輕松地處理大量工作負(fù)載。
此外，宏旺半導(dǎo)體的存儲產(chǎn)品還包括MCP/D FLASH/SSD/內(nèi)存條/TF卡等，每一款產(chǎn)品均經(jīng)過嚴(yán)苛的高低溫老化磨損、擦寫壽命、全套可靠性等品質(zhì)測試。憑借高兼容性、高集成、大容量等特點，目前已在全球范圍為創(chuàng)維、中興、TCL等多家客戶服務(wù)。
在國外技術(shù)牽制不斷升級的當(dāng)下，填補(bǔ)技術(shù)空白，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈條，降低海外依賴的行動刻不容緩。未來，宏旺半導(dǎo)體將全面服務(wù)于方興未艾的5G、IoT等，致力于為更多智慧家庭、智能辦公、物聯(lián)網(wǎng)等不同的場景和行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的存儲產(chǎn)品和解決方案。
