【ITBEAR科技資訊】6月28日消息，三星代工(Samsung Foundry)在今天的年度三星代工論壇(SFF 2023)上公布了其最新工藝技術路線圖。根據該公司的計劃，未來幾年內將推出一系列先進的制造工藝。
三星代工計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，此前在今年早些時候推出的第三代3納米級(SF3)工藝的基礎上進行了進一步優化。據悉，SF2工藝相較于SF3工藝，在相同的頻率和復雜度下提高了25%的功耗效率，提升了12%的性能，同時還減少了5%的面積。為了增強SF2工藝的競爭力，三星還將提供一系列先進的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
據ITBEAR科技資訊了解，三星代工還計劃在2026年推出面向高性能計算(HPC)優化的SF2P工藝，并在2027年推出面向汽車應用優化的SF2A工藝。同時，在2027年，三星計劃開始使用SF1.4(1.4納米級)制造工藝進行量產。三星的2納米級工藝預計與臺積電的N2(2納米級)工藝大致同步，比英特爾的20A工藝晚一年左右。
除了工藝技術的提升，三星代工還將繼續發展其射頻技術。該公司計劃在2025年上半年準備就緒5納米射頻工藝技術，相比舊版14納米射頻工藝，新的5納米射頻技術預計能提高40%的功耗效率，以及約50%的晶體管密度。此外，三星代工計劃于2025年開始生產氮化鎵(GaN)功率半導體，用于消費品、數據中心和汽車領域等多種應用。
在技術供應能力方面，三星代工致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的制造能力。預計在2023年下半年，三星將在平澤3號生產線(P3)開始量產芯片。同時，泰勒市的新建廠房計劃于今年年底完工，并在2024年下半年開始運營。三星的目標是到2027年將其潔凈室容量增加7.3倍，以滿足不斷增長的市場需求。
三星代工的最新工藝技術路線圖公布引起了業界的廣泛關注。隨著各種先進工藝的推出和射頻技術的發展，三星有望在半導體制造領域保持競爭優勢，并為各行各業提供更強大的芯片解決方案。
