【ITBEAR科技資訊】6月28日消息，三星代工(Samsung Foundry)在今天的年度三星代工論壇(SFF 2023)上發(fā)布了最新的工藝技術(shù)路線圖。根據(jù)該公司的計(jì)劃，他們計(jì)劃在2025年推出2納米級(jí)的SF2工藝，并在2027年推出1.4納米級(jí)的SF1.4工藝。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星的SF2工藝是在今年早些時(shí)候發(fā)布的第三代3納米級(jí)(SF3)工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化的。
相比于SF3工藝，SF2工藝在相同的頻率和復(fù)雜度下提高了25%的功耗效率，提升了12%的性能，并減少了5%的面積。為了增強(qiáng)SF2工藝的競(jìng)爭(zhēng)力，三星還將提供一系列先進(jìn)的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
SF2工藝之后，三星還計(jì)劃在2026年推出針對(duì)高性能計(jì)算(HPC)優(yōu)化的SF2P工藝，并于2027年推出針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用優(yōu)化的SF2A工藝。同樣在2027年，該公司還計(jì)劃開(kāi)始量產(chǎn)使用SF1.4(1.4納米級(jí))制造工藝。三星的2納米級(jí)工藝預(yù)計(jì)與臺(tái)積電的N2(2納米級(jí))工藝大致同步，比英特爾的20A工藝晚一年左右。
除了提升工藝技術(shù)，三星代工還計(jì)劃繼續(xù)發(fā)展其射頻技術(shù)。據(jù)該公司預(yù)計(jì)，他們的5納米射頻工藝技術(shù)將在2025年上半年準(zhǔn)備就緒。與舊版14納米射頻工藝相比，三星的5納米射頻預(yù)計(jì)將提高40%的功耗效率和約50%的晶體管密度。此外，三星還計(jì)劃在2025年開(kāi)始生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體，以滿足消費(fèi)品、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)領(lǐng)域等各種應(yīng)用需求。
在技術(shù)供應(yīng)方面，三星代工致力于擴(kuò)大其在韓國(guó)平澤和美國(guó)得州泰勒市的制造能力。預(yù)計(jì)在2023年下半年，三星將在其平澤3號(hào)生產(chǎn)線(P3)開(kāi)始量產(chǎn)芯片。泰勒市的新建廠房預(yù)計(jì)將于今年年底竣工，并于2024年下半年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。根據(jù)三星的計(jì)劃，到2027年，他們的潔凈室容量將比2021年增加7.3倍。
