【ITBEAR科技資訊】5月26日消息，據(jù)韓國媒體The Elec報道，三星公司近日成立了一支專業(yè)團隊，致力于開發(fā)一種名為4F2 DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新技術(shù)。這項技術(shù)可以在不改變工藝節(jié)點的前提下，將芯片面積最高減少30%。
過去的十年里，DRAM行業(yè)曾嘗試商業(yè)化4F Square單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，但未能取得成功。然而，三星此次組建的專業(yè)團隊力求克服之前的難題，推動4F2結(jié)構(gòu)的研發(fā)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，4F2 DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計基于晶體管形成的源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統(tǒng)。在漏極(D)的上方安裝了一個用于存儲電荷的電容器，并且晶體管與水平排列的WL線和垂直排列的BL線相連。其中，WL線與柵極(G)相連，負責控制晶體管的開關(guān);而BL線與源極(S)相連，負責讀取和寫入數(shù)據(jù)。
這項4F2技術(shù)的最大優(yōu)勢在于其高度集成化和節(jié)省芯片空間的能力。相較于現(xiàn)有的6F2級別，該技術(shù)可在不改變工藝節(jié)點的情況下，將芯片面積最高減少30%。這對于提升芯片性能、實現(xiàn)更高容量的存儲器以及滿足不斷增長的市場需求具有重要意義。
三星公司的專業(yè)團隊將繼續(xù)努力，加快4F2 DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的研發(fā)進程。一旦成功商業(yè)化，這項技術(shù)有望為DRAM行業(yè)帶來革命性的突破，推動存儲器技術(shù)的發(fā)展邁上新的臺階。我們將持續(xù)關(guān)注這一領(lǐng)域的最新動態(tài)。
