【ITBEAR科技資訊】05月31日消息，韓國半導體巨頭SK海力士近日宣布取得重要突破，成功研發(fā)出目前市面上最微細化的第五代10納米級(1b)DDR5 DRAM技術，并將其應用于DDR5服務器DRAM產品中。此次SK海力士的技術突破得到了英特爾公司(Intel?)的認可，并開始適用于英特爾數據中心存儲器認證程序，這是英特爾對其第四代至強可擴展平臺(Intel? Xeon? Scalable platform)所采用的存儲器產品兼容性的正式認證流程。
據ITBEAR科技資訊了解，SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產品運行速度高達6.4Gbps，是目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。相較于DDR5 DRAM初期試制品，這項突破使數據處理速度提升了33%。
此外，SK海力士在這款1b DDR5 DRAM中采用了“HKMG(High-K metal Gate)”工藝，與之前的1a DDR5 DRAM相比，功耗降低了20%以上。
SK海力士強調表示：“通過1b技術的成功研發(fā)，我們將能夠向全球客戶提供高性能和高效能功耗比兼?zhèn)涞腄RAM產品。”
SK海力士DRAM開發(fā)擔當副社長金鍾煥表示：“我們已經在今年1月將第四代10納米級(1a)DDR5服務器DRAM適用到英特爾的第四代至強可擴展處理器上，并獲得了業(yè)界的認證。這次1b DDR5 DRAM產品驗證也將會順利完成。”
金副社長繼續(xù)表示：“據預測，從今年下半年開始，存儲器市場狀況將得到改善，我們將以1b工藝的量產等行業(yè)最高水平的DRAM競爭力加速改善今年下半年的業(yè)績。同時，我們還計劃在明年上半年將最先進的1b工藝應用于LPDDR5T和HBM3E產品。”
此外，SK海力士還表示，他們正在進行額外的認證流程，以將已經通過一輪兼容性驗證的1a DDR5 DRAM適用于英特爾下一代至強可擴展平臺。
回顧SK海力士在DDR5 DRAM領域的發(fā)展，2020年10月，他們推出了全球首款DDR5 DRAM產品;2021年12月，全球首次提供了24Gb DDR5 DRAM樣品;而在2023年1月，他們成功獲得了第一款1a DDR5服務器DRAM產品在英特爾認證;最近在2023年4月，SK海力士再次向英特爾提供了第一批1b DDR5服務器DRAM樣品。
這一系列的技術突破和合作成果，標志著SK海力士在DRAM領域的持續(xù)創(chuàng)新和與合作伙伴的深入合作，為公司未來的發(fā)展奠定了堅實的基礎。
