【ITBEAR科技資訊】05月18日消息，三星今日宣布，他們已經開始大規模生產12納米工藝的DDR5 DRAM芯片，這是在去年12月三星首次宣布開發16Gb DDR5 DRAM之后的重要進展。
據三星的新聞稿透露，新一代DDR5芯片相較于上一代，在功耗方面有著23%的降低，而晶圓生產率則提高了20%。這意味著新一代芯片相比上一代更加省電，并且單個晶圓能夠生產更多的芯片，進一步提升了生產效率。
這款12納米工藝的DDR5 DRAM芯片具備了7.2Gbps的最大速度，相當于每秒鐘能夠處理60GB的數據量。據ITBEAR科技資訊了解，這使得該芯片能夠滿足數據中心、人工智能以及新興計算應用的需求。
三星表示，16Gb DDR5 DRAM的低功耗特性將使得服務器和數據中心運營商能夠減少能源消耗和碳足跡。此外，該芯片采用了一種新型的高k材料，使得芯片能夠準確區分數據信號的差異，從而實現了12納米節點的制造。
這一系列的創新與突破將進一步鞏固三星在存儲芯片領域的領先地位。三星已經在量產12納米工藝的DDR5 DRAM上邁出了重要一步，為數據處理的高速與高效提供了更加可靠和先進的解決方案。隨著市場對存儲需求的不斷增長，三星的新一代DDR5 DRAM芯片將在數據中心和計算領域發揮重要作用，并為行業的進步做出貢獻。
