【ITBEAR科技資訊】5月18日消息，日本半導體行業高層于今日上午在日本官邸舉行了一次會談。會議的主要參與者包括日本首相以及臺積電董事長劉德音、英特爾 CEO Pat Gelsinger、美光 CEO Sanjay Mehrotra、三星電子 CEO 慶桂顯、IBM 資深副總裁 Dario Gil、應用材料半導體產品事業群總裁 Prabu Raja、IMEC 執行副總裁 Max Mirgoli等行業重要人物。
據路透社報道，日本政府希望各公司擴大對日本的直接投資，經濟產業省也將提供對半導體產業的支持。會后的記者會上，參與會議的西村康稔表示，美光已提出在日本廣島工廠進行最新一代DRAM的量產計劃，并最高投資5000億日元(約合255億元人民幣)。為促進先進半導體投資，日本政府將提供相關支持預算。據悉，共有1.3萬億日元(約合663億元人民幣)的預算可用于補助半導體行業投資。
西村康稔還在記者會上表示，英特爾正與日本的半導體材料廠和設備廠就后段工藝進行擴大合作。
除此之外，三星電子還計劃在日本設立后段制程相關的研發中心，而應用材料將與日本先進半導體制造商Rapidus加強合作，以推動新產品開發和人才培育。
據ITBEAR科技資訊了解，臺積電目前正在日本熊本縣建設晶圓廠，在會談中也提到考慮根據客戶需求和日本政府的補貼，擴大在日本的投資。
此前報道還提到，IMEC計劃在日本北海道設立研發中心，協助Rapidus研發2nm工藝的量產技術。
總之，本次會談為日本半導體產業的發展提供了機遇，各公司表達了在日本市場的擴大投資意愿，并與當地公司加強合作以推動技術研發和創新。對于日本半導體行業來說，這將進一步促進其在全球市場上的競爭力。
