【ITBEAR科技資訊】5月10日消息，美國3D NAND閃存制造商N(yùn)eo Semiconductor近日發(fā)布了全球首個(gè)采用類似于3D NAND的3D X-DRAM存儲(chǔ)芯片。據(jù)稱，這一解決方案容量遠(yuǎn)超當(dāng)前的2D DRAM解決方案。
新型存儲(chǔ)芯片的首個(gè)版本容量為128 Gb，每個(gè)芯片有230層，密度比目前的2D DRAM芯片高8倍。Neo Semiconductor表示，與其他3D DRAM替代方案相比，這種解決方案的擴(kuò)展和實(shí)施成本更低，可靠性更高，將成為不久的將來取代2D DRAM的候選者之一。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這一技術(shù)的核心在于創(chuàng)新地使用了浮動(dòng)體單元(FBC)。借助成熟的3D NAND工藝，只需一個(gè)掩模(mask)就能定義位線孔并在孔內(nèi)形成單元結(jié)構(gòu)。這種方法可以大大簡化2D DRAM的生產(chǎn)和實(shí)施。
據(jù)Neo Semiconductor估計(jì)，到2025年，存儲(chǔ)容量可能會(huì)翻一番，達(dá)到256 Gb。在未來10年，他們還將推出更高容量的1 Tb版本。更多信息將在2023年8月9日的閃存峰會(huì)上發(fā)布。
Neo Semiconductor的3D X-DRAM存儲(chǔ)芯片的推出，為未來存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展帶來了新的思路和機(jī)遇。這種解決方案的可靠性和成本效益更高，將有望替代現(xiàn)有的2D DRAM解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的革新和升級(jí)。
