【ITBEAR科技資訊】5月12日消息，在全球半導體市場不景氣的背景下，韓國三星電子積極加大對尖端代工設施的投資，努力在芯片制程工藝領域保持競爭優勢。三星電子近期宣布，在3nm制程工藝上取得重大突破，并比臺積電更早實現量產，成為首家量產3nm芯片的公司，領先半年的時間窗口為其帶來了市場優勢。
據ITBEAR科技資訊了解，三星電子一直以來以存儲芯片見長，在NAND閃存和DRAM市場上占據領先地位，并且存儲芯片在其半導體業務中占據60-70%的比例。然而，由于去年下半年開始的全球芯片需求下滑，三星電子也受到了影響。存儲芯片業務的營收連續三個季度同比環比大幅下滑，設備解決方案部門的營收和利潤也有所下滑。今年一季度，三星電子的半導體業務出現了4.58萬億韓元的營業虧損。
盡管存儲芯片業務受到挑戰，但三星電子仍然堅定地投資于尖端代工設施。據業內人士透露，三星電子加速了晶圓代工產能擴張方面的投資。他們計劃在今年四季度開始量產位于平澤的P3工廠新晶圓代工生產線，并有報道稱最早在5月份開始試運行。這一舉措表明，三星電子在3nm制程工藝的領先地位不僅是技術上的突破，也是他們對未來市場需求的積極響應。
三星電子此次在3nm制程工藝上的量產突破，將進一步鞏固其在半導體行業的地位。盡管存儲芯片業務面臨挑戰，但通過加大對晶圓代工設施的投資，三星電子有望擴大其芯片制造業務的市場份額。在全球半導體市場競爭日趨激烈的情況下，三星電子的努力和投資將為其帶來更多機遇和發展空間。
