4月25日消息，在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電最近幾年搖身一變成為全球的領(lǐng)導(dǎo)者，量產(chǎn)的3nm也是目前最先進(jìn)的，Intel的主力工藝還是Intel 7，也就是之前的10nm SF工藝演進(jìn)而來(lái)。
但在未來(lái)兩年，格局可能會(huì)發(fā)生變化，因?yàn)镮ntel的目標(biāo)是4年內(nèi)掌握5代CPU工藝，特別是2024年Intel會(huì)在上半年、下半年分別量產(chǎn)20A、18A工藝，等效友商的2nm及1.8nm工藝。
18A是Intel四年掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán)，是20A工藝的改進(jìn)版，每瓦性能比提升10%，同時(shí)它也是對(duì)外代工的主力，前不久還跟ARM達(dá)成了合作協(xié)議，基于18A工藝量產(chǎn)先進(jìn)的ARM芯片。
同時(shí)18A工藝是Intel跟臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，后者的2nm工藝預(yù)計(jì)在2025年才能量產(chǎn)，一旦Intel如期搞定18A，那么會(huì)在技術(shù)及量產(chǎn)進(jìn)度上超越臺(tái)積電，重新成為半導(dǎo)體工藝領(lǐng)導(dǎo)者。
面對(duì)Intel的追趕甚至反超，臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家上周也回應(yīng)了此事，他表示不會(huì)評(píng)價(jià)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的發(fā)展，但臺(tái)積電的N3工藝率先實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，是當(dāng)前最先進(jìn)的，N2工藝還會(huì)再次這么做，甚至?xí)U(kuò)大領(lǐng)導(dǎo)地位。
臺(tái)積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，首次使用GAA晶體管，相較于其N(xiāo)3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%；而在相同性能下，臺(tái)積電2nm工藝的功耗將降低23~30%。
不過(guò)2nm工藝的晶體管密度僅提升了10%，相比之前的工藝提升60-70%大為縮水，更沒(méi)有達(dá)到摩爾定律所需的100%密度提升。
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