來源：快科技
這幾年，臺積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭，春風得意，能夠追趕的也只有三星了，但是后者的工藝品質一直飽受質疑。
IEEE ISSCC 國際固態電路大會上，三星 ( 確切地說是 Samsung Foundry ) 又首次展示了采用 3nm 工藝制造的芯片，是一顆 256Gb ( 32GB ) 容量的 SRAM 存儲芯片，這也是新工藝落地傳統的第一步。
在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新工藝節點，其他則是升級改善型，包括 11/8/6/5/4nm 等等。
三星將在 3nm 工藝上第一次應用 GAAFET ( 環繞柵極場效應晶體管 ) 技術，再次實現了晶體管結構的突破，比現在的 FinFET 立體晶體管又是一大飛躍。
GAAFET 技術又分為兩種類型，一是常規 GAAFET，使用納米線 ( nanowire ) 作為晶體管的鰭 ( fin ) ，二是 MBCFET ( 多橋通道場效應晶體管 ) ，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片 ( nanosheet ) 。
三星的第一顆 3nm SRAM 芯片用的就是 MBCFET，容量 256Gb，面積 56 平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電流只需要區區 0.23V，這要感謝 MBCFET 的多種省電技術。
按照三星的說法，3GAE 工藝相比于其 7LPP，可將晶體管密度增加最多 80％，性能提升最多 30％，或者功耗降低最多 50％。
或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發熱，避免再出現所謂的 " 翻車 "。
三星 3nm 預計明年投入量產，但尚未公布任何客戶。
臺積電方面，3nm 繼續使用 FinFET 技術，號稱相比于 5nm 晶體管密度增加 70％，性能可提升 11％，或者功耗可降低 27％，預計今年晚些時候投入試產，明年量產，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等，甚至據說 Intel 也會用。
