【ITBEAR科技資訊】4月20日消息，韓國半導體公司SK海力士官網宣布，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品，再次超越了現有最高性能DRAM內存HBM3的技術界限。據ITBEAR科技資訊了解，該公司正在向客戶提供樣品，并進行性能評估。
SK海力士表示，其工程師通過應用先進的批量回流模壓填充(MR-MUF)技術，提高了新產品的工藝效率和性能穩定性，同時通過硅通孔(TSV)技術，將單個DRAM芯片的厚度降低了40%，達到了與16GB產品相同的堆疊高度水平。HBM是SK海力士在2013年首次開發出來的一種內存，由于它在實現運行在高性能計算(HPC)系統中的生成型AI中起著至關重要的作用，因此受到了內存芯片行業的廣泛關注。
“SK海力士之所以能夠不斷開發出一系列超高速和高容量的HBM產品，是因為它在后端工藝中運用了領先的技術，”SK海力士封裝測試部門負責人洪相厚說，“公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備工作，以進一步鞏固其在AI時代尖端DRAM市場中的領導地位?！?/p>
隨著人工智能技術的不斷發展，處理大量數據已成為重要的需求。最新的HBM3標準被認為是快速處理大量數據的理想產品。據ITBEAR科技資訊了解，該產品被全球主要科技公司采用的情況越來越多。SK海力士已經向多個對最新產品表達了極大期待的客戶提供了24GB HBM3產品的樣品，同時該產品的性能評估也在進行中。
SK海力士在去年6月率先量產業界首款HBM3，此次又成功開發出內存容量比前一代產品增加50%的24GB封裝產品。該公司將在下半年向市場供應新產品，以滿足由AI聊天機器人行業帶動的高端內存產品的需求。
