12 月 6 日消息，在近日的 IEDM 2022(2022 IEEE 國際電子器件會議)上，英特爾發布了多項突破性研究成果，并且還給出了最新的路線圖，強調該公司正保持“迅捷步伐”，而且他們不僅要維持正軌，還要加快交付時間。
按照英特爾的術語，后納米時代的切入點即為“埃米”，也就是十分之一納米，他們將低于 2 納米的工藝節點命名為 20A 和 18A，并且將以此首發 / 首批采用 ASML 的 High NA EUV 設備(可能是 18A)。
簡單來說，英特爾 20 A 工藝計劃在 2024 年上半年進入風險試產階段，而 18A 工藝將在 2024 年下半年準備就緒。
此外，英特爾還確認其即將推出的 Intel4 工藝已準備好生產。
值得注意的是，公司提到節點“準備生產”的流程與他們預計流程處于風險生產狀態的時間線相對應。這意味著 Intel 4 現在處于風險試產狀態。
也就是說，這可能意味著下一代 Meteor Lake 不會像一些小道爆料所說的那樣推遲到 2024 年，它將在 2023 年的某個時候到來。
▲ 圖源英特爾，via：wccftech
該公司還透露，18A 工藝計劃在 2024 年 2 月進入風險試產階段。
此外，英特爾還確認其 20A 工藝將同時引入 RibbonFET 和 PowerVias 技術。
IT之家科普：RibbonFET 是一種環柵或納米晶體管結構，有望像 FinFET 一樣延長摩爾定律，而 PowerVia 則是一種后端電源傳輸技術，兩者結合的話必然會帶來相當大的技術創新。
英特爾技術開發總經理 Ann B Kelleher 表示：
“摩爾定律是關于功能創新的整合，當我們展望未來 10 到 20 年的時候，會有一條充滿創新的路途。”
當被問及在 20A 工藝上向 RibbonFET 和 PowerVias 技術過渡的問題，以及考慮到該公司在 10nm 工藝上的失誤所帶來的潛在風險時，Ann Kelleher 表示：
“這些并不需要立即完成，但我們看到了轉移到 PowerVia 以啟用 RibbonFET 技術的顯著優勢，.... 這一直非常成功，使我們能夠加快我們的開發工作。”
