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  10nm及更先進(jìn)的制程工藝,目前只有Intel、臺(tái)積電和三星實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。

  日前,Digitimes整理了三大晶圓廠在10nm、7nm、5nm、3nm、2nm的技術(shù)指標(biāo)演進(jìn)對(duì)比圖,這里使用的是晶體管密度(每平方毫米晶體管數(shù)量)。

  10nm時(shí)代,Intel做到了每平方毫米1.06億顆晶體管,是臺(tái)積電和三星的兩倍。

  7nm時(shí)代,Intel預(yù)估可以做到每平方毫米1.8億顆晶體管,臺(tái)積電9700萬顆/平方毫米、三星9500萬顆/平方毫米。

  5nm時(shí)代,Intel預(yù)估可以做到每平方毫米3億顆晶體管,臺(tái)積電1.73億顆/平方毫米、三星1.27億顆/平方毫米。

  這樣來看的話,Intel的10nm相當(dāng)于臺(tái)積電/三星7nm、Intel 7nm相當(dāng)于臺(tái)積電/三星5nm的說法有一定道理。

三星3nm技術(shù)指標(biāo)曝光:連Intel 7nm都不如

  不過,從5nm可以明顯看出,在晶體管密度上,三星已經(jīng)明顯落后。

  放眼3nm,臺(tái)積電大概可以做到2.9億顆/平方毫米,三星可以做到1.7億顆/平方毫米,三星的指標(biāo)甚至連Intel 7nm都不如。

三星3nm技術(shù)指標(biāo)曝光:連Intel 7nm都不如

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