這兩年，臺(tái)積電、三星在先進(jìn)工藝上你追我趕，下一步比拼的就是3nm、2nm。
三星此前已經(jīng)宣布，3nm 3GAE低功耗版2022年初量產(chǎn)，3nm 3GAP高性能版2023年初量產(chǎn)，2nm 2GAP 2025年量產(chǎn)。
臺(tái)積電CEO魏哲家最新公開(kāi)表示，臺(tái)積電3nm N3將在今年內(nèi)風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)，2023年第一季度獲得實(shí)際收入。
臺(tái)積電N3 3nm工藝將是N5 5nm之后的全新節(jié)點(diǎn)，號(hào)稱(chēng)經(jīng)過(guò)密度可增加70%，同等功耗下性能可提升10-15%，同等性能下功耗可降低25-30%，并且使用更多層的EUV光刻(不低于N5 14層)，因此更加復(fù)雜化，整個(gè)工藝流程的工序超過(guò)1000道。
N3還會(huì)衍生出一個(gè)N3E版本，可以視為增強(qiáng)版，有更好的性能、功耗、良品率，同時(shí)設(shè)計(jì)和IP上完全兼容N3，2024年量產(chǎn)。
臺(tái)積電的N2 2nm工藝一直比較神秘，官方此前只是確認(rèn)會(huì)考慮使用GAAFET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，但從未明確是否真的上馬。
按照魏哲家的最新說(shuō)法，N2工藝將在2025年量產(chǎn)，并強(qiáng)調(diào)無(wú)論集成密度還是性能都是業(yè)內(nèi)最好的，但未給出具體指標(biāo)。
之前預(yù)計(jì)臺(tái)積電2nm 2024年就能量產(chǎn)，結(jié)果現(xiàn)在節(jié)奏也放緩了，和三星基本同步，就看誰(shuí)的表現(xiàn)更好了，當(dāng)然還有高昂的成本問(wèn)題。
