12 月 13 日消息，據中國臺灣媒體《經濟日報》報道，聯電與三星合作開發的 22nm 高壓制程最快明年首季開始試產驗證，屆時將為三星代工新的 OLED 驅動 IC。
▲ 圖源：經濟日報
據悉，聯電方面證實，22nm 高壓制程正因應客戶需求開發中，但無法透露客戶名稱。臺媒分析稱目前 OLED 驅動 IC 廠商中僅有三星有能力導入聯電的 22nm 高壓制程，最快明年第 1 季開始小量試產驗證，初期產能數千片，之后逐步放大至數萬片。
該報道指出，聯電 22nm 制程與原來 28nm 制程相比，能夠縮減 10%的晶粒面積，且擁有更佳功率效能比和更強的射頻性能。22nm 高壓制程則從原來可支持的 1.8V/3.3V/5V/8V 提高至最大支持 10V/18V。
