12 月 15 日，吳越半導(dǎo)體 GaN 晶體出片儀式在無錫高新區(qū)舉行。
據(jù)無錫高新區(qū)消息，儀式上，吳越半導(dǎo)體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突破 1 厘米的氮化鎵晶體，并與君聯(lián)資本、新投集團簽署 A 輪融資戰(zhàn)略框架協(xié)議。
圖片來源：無錫高新區(qū)在線
無錫吳越半導(dǎo)體有限公司成立于 2019 年，是無錫先導(dǎo)集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園首個落戶的項目，公司專注于氮化鎵自支撐襯底的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
2020 年 2 月，吳越半導(dǎo)體、先導(dǎo)集團與高新區(qū)管委會簽訂合作協(xié)議，在無錫高新區(qū)實施 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目，項目建成投產(chǎn)后，可填補無錫市在第三代化合物半導(dǎo)體氮化鎵原材料領(lǐng)域的空白。
