三星電子代工部門最近深陷負(fù)面?zhèn)髀勚小Ｏ仁怯邢⒎Q涉嫌偽造并虛報 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率，讓高通等 VIP 客戶不得不另投臺積電，近日又被黑客竊走 200GB 數(shù)據(jù)。
不過從技術(shù)上來看，三星依然是唯一一家能夠緊跟臺積電的晶圓代工廠，而且三星在接下來的 3nm 節(jié)點上將更加激進(jìn)，并想要在全球首次推出 GAA 晶體管工藝，放棄 FinFET 晶體管工藝(臺積電 3nm 工藝仍將基于 FinFET 工藝)。
三星正計劃在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工藝的質(zhì)量評估。據(jù)韓國媒體報道，三星已經(jīng)準(zhǔn)備好在韓國平澤市的 P3 工廠開工建設(shè) 3nm 晶圓廠，計劃于 6、7 月份動工，并及時導(dǎo)入設(shè)備。
根據(jù)三星的說法，與 7nm 制造工藝相比，3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了約 35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電 3nm FinFET 工藝。
三星代工是三星的代工芯片制造業(yè)務(wù)部門，此前有消息稱其目前正在與客戶一起進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計和批量生產(chǎn)的質(zhì)量測試。該業(yè)務(wù)部門的目標(biāo)是擊敗競爭對手臺積電，在 3nm GAA 領(lǐng)域獲得“世界第一”的稱號。然而三星能否在 3nm 的性能和產(chǎn)能上滿足客戶的要求還有待觀察。
韓國遠(yuǎn)大證券的數(shù)據(jù)顯示，截至 2020 年，三星 Foundry 擁有的專利僅為 7000- 10000 項，而其競爭對手臺積電已獲得約 3.5 萬至 3.7 萬項專利。因此，業(yè)界認(rèn)為三星認(rèn)為缺乏 3nm 相關(guān)專利，這可能是個問題。
三星旗下 Galaxy 設(shè)備被黑客攻破，近 200GB 數(shù)據(jù)信息泄露，涉及合作伙伴高通機(jī)密數(shù)據(jù)，數(shù)億名 Galaxy 設(shè)備用戶正在面臨著新的潛在安全風(fēng)險，引起業(yè)界關(guān)注。
除此之外，韓國媒體此前還報道稱，三星高管可能在試產(chǎn)階段捏造了其 5nm 以下工藝的芯片良率，以抬高三星代工業(yè)務(wù)的競爭力。隨后，三星啟動了對原本計劃擴(kuò)大產(chǎn)能和保證良率的資金下落的調(diào)查，進(jìn)一步了解半導(dǎo)體代工廠產(chǎn)量和良率情況。
據(jù)三星內(nèi)部官員透露，“由于晶圓代工廠交付的數(shù)量難以滿足代工訂單需求，公司對非內(nèi)存工藝的良率表示懷疑，事實上基于該良率是可以滿足訂單交付的。”另有業(yè)內(nèi)人士透露，在三星為高通生產(chǎn)的驍龍 4nm 制程芯片中，良品率僅為 35%，并且三星自研的 4nm 制程 SoC 獵戶座 2200 的良率更低。
