最近一段時間，三星的新工藝負面新聞不斷，之前有傳聞稱良率只有35%，嚇跑了NVIDIA及高通等客戶，不過三星一直否認，現在又有報道稱3nm工藝已經量產，最關鍵的良率也在改善中。
這個喜訊是三星管理層向董事會報告的，顯示了三星對3nm工藝的信心，表示良率已經改善，但是現在依然沒有具體的細節泄露出來了。
此前的三星公布了2022年Q1季度財報會議，三星官方也否認了傳聞中的良率不行的傳聞。
三星表示，5nm工藝已經進入成熟階段，還在擴大服務，4nm工藝雖然良率提升過程出現了延遲，但已經進入了預定的良率曲線，未來的3nm工藝還在準備設立一條新的研發生產線。
對三星來說，3nm節點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵，因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術，三星的3nm節點就會啟用GAA技術，這是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。
根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。
