韓國半導體產業界迎來“逆襲”全球半導體代工冠軍——臺積電的重要契機。據韓國《每日經濟》7月2日的報道，隨著6月30日三星電子全球首次開始量產3納米全環繞柵極(GAA)制程工藝節點芯片，外界開始預測三星電子與臺積電的未來競爭格局。韓國業內評估認為，三星電子搶先引入最新工藝技術為趕超臺積電打下基礎，臺積電與三星電子現有的技術差距“無法輕易彌補”。
市場研究機構集邦咨詢最新的數據顯示，今年第一季度臺積電在全球半導體代工銷售中的份額為53.6%，約為三星(16.3%)的三倍。但隨著首次開始量產3納米芯片，三星電子加快追趕步伐。憑借新技術，三星將通過爭取蘋果、英特爾和 AMD等潛在客戶來縮小與臺積電的差距。韓國《朝鮮日報》的報道稱，相較于之前最先進5納米量產工藝，三星的3納米工藝可節約45%電力，產品性能提高23%。
三星的技術進步引起臺媒關注，臺灣聯合新聞網7月2日報道稱，臺積電要等到2023年才會開始生產3納米制程芯片產品，預期三星將會利用技術優勢搶先爭取更多代工客戶。目前，臺積電的尖端工藝是4納米制程，并在這一級別上擁有全球最高量產制造水平。
臺媒同時強調，雖然三星率先宣布實現3納米制程量產，但如果不能穩定和按時供貨，便無法奪取市場。尤其在此前的4納米工藝上，三星電子的投入產出率(合格品所占比例)被指不及臺積電。此前三星憑借5納米制程技術代工的美國高通公司處理器暴露出容易過熱的問題，高通后續處理器換成臺積電5納米制程技術后，發熱控制表現較好，因此市場對于三星3納米制程技術存在質疑。有分析認為，能否在短期內將投入產出率提上來將成為三星電子與臺積電競爭的關鍵。
