目前全球能做到2nm工藝的公司沒有幾家，主要是臺(tái)積電、Intel及三星，日本公司在設(shè)備及材料上競(jìng)爭(zhēng)力有優(yōu)勢(shì)，但先進(jìn)工藝是其弱點(diǎn)，現(xiàn)在日本要聯(lián)合美國(guó)研發(fā)2nm工藝，不依賴臺(tái)積電，最快2025年量產(chǎn)。
日本與美國(guó)合作2nm工藝的消息有段時(shí)間了，不過7月29日日本與美國(guó)經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有高官會(huì)面，2nm工藝的合作應(yīng)該會(huì)是其中的重點(diǎn)。
據(jù)悉，在2nm工藝研發(fā)合作上，日本將在今年內(nèi)設(shè)立次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)研發(fā)中心(暫定名)，與美國(guó)的國(guó)立半導(dǎo)體技術(shù)中心NSTC合作，利用后者的設(shè)備和人才研發(fā)2nm工藝，涉及芯片涉及、制造設(shè)備/材料及生產(chǎn)線等3個(gè)領(lǐng)域。
這次的研發(fā)也不只是學(xué)術(shù)合作，會(huì)招募企業(yè)參加，一旦技術(shù)可以量產(chǎn)，就會(huì)轉(zhuǎn)移給日本國(guó)內(nèi)外的企業(yè)，最快會(huì)在2025年量產(chǎn)。
對(duì)于日美合作2nm并企圖繞過臺(tái)積電一事，此前臺(tái)積電方面已有回應(yīng)，臺(tái)積電稱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的特性是不管花多少錢、用多少人，都無法模仿的，要經(jīng)年累月去累積，臺(tái)積電20年前技術(shù)距最先進(jìn)的技術(shù)約2世代，花了20年才超越，這是堅(jiān)持自主研發(fā)的結(jié)果。
臺(tái)積電不會(huì)掉以輕心，研發(fā)支出會(huì)持續(xù)增加，臺(tái)積電3nm制程將會(huì)是相當(dāng)領(lǐng)先，2nm正在發(fā)展中，尋找解決方案。
