日本東京大學的科學家宣布他們研制出了一種新的Flash閃存，可以減少我們對數據安全性的擔心，這種名叫ferroelectric Nand Flash （FNF）的閃存可被重復擦寫1億次，而目前的閃存壽命大約為50萬次。
這種芯片基于10納米技術制造，而目前的Flash則為30納米，這可以有效提升存儲密度，并且讀寫所需的電力也更少。
但目前尚不了解什么時候才能看到運用此種技術的商品出現。
Current Flash chips are estimated to have a useful lifetime of around a decade
