新華社倫敦5月19日電英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來的研發(fā)熱點。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運行。
英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜志》上報告說，他們發(fā)現(xiàn)可用硅的氧化物制作一種新的憶阻材料，相應(yīng)存儲設(shè)備可在常規(guī)環(huán)境下運行，因此應(yīng)用價值大大提高。
研究人員安東尼·凱尼恩說，這種新型存儲設(shè)備的能耗只有閃存的約千分之一，而其存取速度是閃存的一百倍以上。閃存現(xiàn)在已成為人們隨身攜帶的U盤、數(shù)碼相機、手機等設(shè)備中廣泛使用的存儲設(shè)備。
據(jù)介紹，這項成果與科學(xué)史上許多發(fā)現(xiàn)一樣都是源于意外。研究人員最開始是在用硅氧化物制作發(fā)光二極管，但在實驗過程中出了故障，發(fā)現(xiàn)所用材料的電學(xué)性質(zhì)變得不穩(wěn)定了，檢查之后發(fā)現(xiàn)它們電阻在變化，原因是已經(jīng)變成了憶阻材料，于是正好把它們轉(zhuǎn)用于研發(fā)新型存儲設(shè)備。
