6月22日消息，據(jù)國外媒體報道，5nm制程工藝量產(chǎn)已有兩年的臺積電和三星電子，都在全力推進3nm工藝的量產(chǎn)，兩家公司都計劃在今年量產(chǎn)。
而韓國媒體根據(jù)最新的消息報道稱，三星電子有望在下周宣布3nm制程工藝的量產(chǎn)事宜。
如果三星電子真如外媒報道的那樣，在下周宣布3nm工藝量產(chǎn)，他們在這一制程工藝上，就將先于臺積電實現(xiàn)量產(chǎn)。臺積電的3nm工藝在去年開始風(fēng)險試產(chǎn)，正按計劃推進在今年下半年量產(chǎn)。
在競爭激烈的3nm制程工藝方面，三星電子和臺積電的技術(shù)路線并不相同，三星電子率先采用全環(huán)繞柵極晶體管，臺積電則是繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。
外媒在報道中提到，三星電子此前曾表示，采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的3nm制程工藝，同當(dāng)前的鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)相比，性能將提升30%，能耗降低50%，邏輯面積效率提升超過45%。
三星電子的3nm制程工藝有望先于臺積電量產(chǎn)，在5月初也曾出現(xiàn)過。當(dāng)時就有外媒在報道中表示，三星在推進3nm工藝在二季度量產(chǎn)，如果能順利實現(xiàn)，就將先于臺積電量產(chǎn)。而二季度到下周四就將結(jié)束，如果三星電子要在二季度量產(chǎn)，就需要在下周四之前量產(chǎn)。
