7月7日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子6月30日在官網(wǎng)宣布，他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，已在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，先于臺積電采用3nm工藝代工晶圓。
目前距離三星電子宣布初步生產(chǎn)已有一周的時間，外媒在報道中，也給出了他們3nm制程工藝的更多信息。
外媒最新的報道顯示，三星電子3nm制程工藝的首家客戶，將是國內(nèi)的一家專用集成電路應(yīng)用公司，不過他們并未披露公司的具體名稱。
外媒在報道中還提到，作為三星電子晶圓代工最大客戶的高通，也已經(jīng)預(yù)訂了3nm工藝的產(chǎn)能。消息人士透露，根據(jù)兩家公司達(dá)成的協(xié)議，高通是隨時都可以要求三星采用這一工藝為他們代工芯片。
不同于7nm、5nm等工藝所采用的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)，三星電子的3nm制程工藝，是率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)。三星電子在官網(wǎng)上表示，同5nm工藝相比，他們的第一代3nm制程工藝所代工的芯片，功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。
三星電子在晶圓代工領(lǐng)域的競爭對手臺積電，目前也在推進(jìn)3nm工藝的量產(chǎn)事宜，他們是計劃在今年下半年量產(chǎn)，他們的3nm工藝，仍繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)。
