8月3日消息，據(jù)國外媒體報道，周二，韓國芯片制造商SK海力士宣布，它已開發(fā)出238層NAND閃存芯片。
該公司表示，這款芯片是最小的NAND閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度與上一代芯片相比提升50%，讀取數(shù)據(jù)消耗的能量降低21%，將用于PC存儲設(shè)備、智能手機和服務(wù)器，計劃在2023年上半年開始批量生產(chǎn)。
去年12月30日，SK海力士宣布完成收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)的第一階段。在第一階段的交易中，英特爾向SK海力士出售SSD業(yè)務(wù)(包括轉(zhuǎn)讓NAND SSD相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)及員工)和大連的NAND閃存制造工廠，SK海力士則向英特爾支付70億美元。
這筆收購交易的第二階段預(yù)計將在2025年3月及之后進(jìn)行，屆時SK海力士將向英特爾支付余下的20億美元。據(jù)悉，英特爾出售給SK海力士的相關(guān)資產(chǎn)交由后者新設(shè)立的子公司Solidigm管理。
由于全球經(jīng)濟(jì)的不確定性正在抑制消費者對電子產(chǎn)品的購買力，SK海力士在7月下旬宣布，將無限期推遲投資33億美元新建存儲芯片工廠的擴張計劃。
據(jù)悉，SK海力士決定推遲擴建的工廠是該公司此前決定在清州園區(qū)建設(shè)的M17存儲芯片工廠，該工廠原本計劃于2023年晚些時候開工建設(shè)，預(yù)計最早于2025年完工。
外媒報道稱，該公司之所以決定推遲擴建計劃，可能是由于成本上升以及市場對芯片的需求放緩等問題。
