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雖然 DDR5 內(nèi)存已經(jīng)跟隨 Intel12 代酷睿平臺(tái)一起上市有大半年時(shí)間了，但初期較為高昂的價(jià)格讓想嘗鮮的消費(fèi)者直呼買不起，而且相對(duì)較高的時(shí)序也廣受老玩家詬病，加上 12 代酷睿處理器還支持性價(jià)比更高的 DDR4 內(nèi)存，這些因素?zé)o疑成為阻礙 DDR5 內(nèi)存的普及的絆腳石。
但隨著內(nèi)存的核心元件 DRAM 芯片成本的不斷下降和頻率的不斷提升，以及最新的 AMD Zen4 架構(gòu)的銳龍 7000 平臺(tái)的發(fā)售，DDR5 內(nèi)存普及終于迎來(lái)曙光。雖然升級(jí)最新平臺(tái)就要升級(jí)內(nèi)存的做法讓不少玩家覺(jué)得過(guò)于激進(jìn)，但畢竟 DDR4 內(nèi)存已經(jīng)伴隨了我們 6 年多的光景，面對(duì)最新處理器強(qiáng)大的帶寬可謂是心有余力不足。
1 DDR5 內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)
頻率是決定內(nèi)存性能的重要的參數(shù)。DDR5 最鮮明的特色就是擁有更高的工作頻率，4800MT/s 的起步頻率就已經(jīng)成為大多數(shù) DDR4 內(nèi)存無(wú)法達(dá)到的上限。而銳龍 7000 處理器還帶來(lái)了與 IntelXMP 類似的內(nèi)存超頻技術(shù) EXPO，開啟后即使最入門的 DDR5 內(nèi)存也能達(dá)到 5200MT/s 水平。
雖然高時(shí)序仍是 DDR5 內(nèi)存的弊端，但通過(guò)從 DDR2 到 DDR3 再到 DDR4 的歷程不難看出，不斷提升的頻率足可抵消高延遲的影響。同時(shí)，為了提升效能，DDR5 內(nèi)存還把 64 位的數(shù)據(jù)帶寬分成兩個(gè) 32 位可尋址通道（考慮 ECC 因素則為 40 位），能有效提高內(nèi)存控制器數(shù)據(jù)訪問(wèn)的效率并減少延遲，因此 CPU-Z 等軟件在識(shí)別 DDR5 內(nèi)存時(shí)還會(huì)把單條單通道內(nèi)存識(shí)別為雙通道。
除此之外，DDR5 內(nèi)存還支持片內(nèi) ECC，無(wú)需專用芯片即可實(shí)現(xiàn)糾錯(cuò)功能，這也是 DDR5 內(nèi)存的獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。而 DDR5 內(nèi)存制造工藝的提升，也使得工作電壓降到了 1.1V，從而降低了內(nèi)存的功耗。
2 我們?yōu)楹涡枰?6000MT/s 以上的 DDR5？
眾所周知，AMD 平臺(tái)對(duì)于內(nèi)存的性能更為敏感，尤其在使用核顯的情況下，內(nèi)存頻率就是顯存的頻率，因此更高頻率的內(nèi)存可為系統(tǒng)帶來(lái)非常直觀的性能提升。AMD 從銳龍 7000 平臺(tái)開始全面支持 DDR5 內(nèi)存，尤其是開啟 EXPO 后可進(jìn)一步提升內(nèi)存的性能，從而提升處理器在 1080p 分辨率下的游戲表現(xiàn)。
AMD 銳龍 7000 系列處理器配備更先進(jìn)的內(nèi)存控制器，即使在開啟 EXPO 內(nèi)存技術(shù)后，AMD 仍可保證內(nèi)存控制器與內(nèi)存同步工作在較高的頻率，從而帶來(lái)整體性能的提升。經(jīng)實(shí)測(cè)，銳龍 9 7950X 與銳龍 9 5950X 在內(nèi)存的帶寬測(cè)試形成壓倒性優(yōu)勢(shì)，而 DDR4 由于低時(shí)序的先天優(yōu)勢(shì)，僅在延遲方面略有勝出。
根據(jù) AMD 的數(shù)據(jù)，DDR5-6000 是 AMD 銳龍 7000 系列處理器的內(nèi)存控制器與內(nèi)存同步工作的最高、最穩(wěn)定頻率，而 6000MT/s 以上的高頻 DDR5 內(nèi)存無(wú)疑會(huì)進(jìn)一步提升銳龍 7000 系列處理器的性能，因此 DDR5 內(nèi)存的超頻也再次成為玩家們津津樂(lè)道的話題。
內(nèi)存超頻需不斷調(diào)整內(nèi)存的時(shí)序、電壓等參數(shù)組合，在超頻玩家中更流傳 " 一杯茶、一包煙，內(nèi)存參數(shù)調(diào)一天 " 的調(diào)侃。但超頻時(shí)一味增加時(shí)序也會(huì)削弱甚至抵消頻率提高帶來(lái)的性能提升，而內(nèi)存廠商也在提升頻率的同時(shí)努力降低時(shí)序來(lái)控制延遲。
AMD 銳龍 7000 平臺(tái)不僅為 DDR5 內(nèi)存的普及起到推波助瀾的作用，也進(jìn)一步推動(dòng) DDR5 頻率的不斷提升，可以預(yù)見(jiàn)不久的將來(lái)，開啟 XMP 或者 EXPO 即可實(shí)現(xiàn) 6000MT/s 的內(nèi)存也會(huì)成為主流，高頻 DDR5 內(nèi)存的時(shí)代即將到來(lái)。
