近日,臺積電聯(lián)合臺大與美國麻省理工學(xué)院(MIT)官方宣布,在 1nm 以下芯片制程方面取得重大突破。
研究發(fā)現(xiàn),二維材料結(jié)合“半金屬鉍(Bi)”能大幅降低電阻并提高傳輸電流,實現(xiàn)接近量子極限的能效,解決了長期以來二維材料高電阻及低電流等問題,有助實現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)。
該項研究成果,由臺大電機系暨光電所教授吳志毅與臺灣積體電路以及MIT研究團隊共同完成,自2019年開始已經(jīng)持續(xù)了長達1年多的三方跨國合作,如今終于取得了突破性的研究成果。
吳志毅教授表示,在使用鉍(Bi)作為接觸電極的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)后,二維材料晶體管的效能不但與硅基半導(dǎo)體相當,還有潛力與目前主流的硅基制程技術(shù)相容,有助于未來突破摩爾定律極限。
隨著晶圓單位面積能容納的晶體管數(shù)目逐漸逼近主流硅基材料的物理極限,晶體管效能再也無法逐年顯著提升。近年來,科學(xué)界也在積極地尋找能取代硅的二維材料,而此次的發(fā)現(xiàn),無疑給芯片制程技術(shù)發(fā)展打了一劑強心針。