近期,TCL華星自研銅酸項目獲得突破性進展,解決了高銅離子濃度下安全性問題及蝕刻速率下降的關鍵技術瓶頸,實現了銅酸極致壽命8000ppm,遠超業界高雙氧水一劑型體系7000ppm的上限。這一成果不僅有望進一步降低生產成本,增強自身競爭力,更展現出TCL華星在半導體顯示領域,針對核心基礎技術及材料的自研技術實力。
近年來,隨著“百年未有之大變局”的出現,穩定產業鏈安全,成為中國制造業重中之重的任務,而核心材料的自主自研,是穩定產業鏈安全,增強企業、乃至行業競爭力的關鍵一環。作為半導體行業的領軍企業,TCL華星面臨日益嚴峻的行業現狀,開始積極轉變經營思路,推進采購管理模式升級優化,組織深度分析和分品類的結構降本,提出并落實了多個關鍵材料山頭項目,“銅酸自混自研項目”便是其中之一。
正是基于對行業環境的洞察及企業自身所需,TCL華星針對刻蝕電路用的銅酸,這一成本較高的核心材料,TCL華星開始了漫長的銅酸自研之路。
自2016年,TCL華星便圍繞“配方體系建立,配方精細化調整,生產工藝開發,檢測技術開發”四個關鍵節點,進行了該基礎材料領域的能力構建,相繼攻克了一系列蝕刻特性技術難題,2016年完成了開發平臺、量產平臺搭建,2019年實現了單點突破M1 H#1 t2單線量產,在近兩年的刻苦鉆研之后,2020年實現技術升級,自研H#2 實現深圳銅制程 M1 全線量產,也因此成為了業內首個成功自研銅酸的面板企業。
階段性的勝利并未讓TCL華星的自研銅酸團隊安于現狀,而是再次踏上精益求精的技術攻堅之路。通過對螯合劑和穩定劑的深入研究,TCL華星的自研銅酸團隊相繼突破了高銅離子濃度下的安全性問題、蝕刻速率下降等關鍵技術瓶頸,延壽路線取得巨大突破進展:自研H#6配方突破高雙氧水體系8000ppm壽命上限。這是TCL華星的材料自研能力又站上了新的臺階,不僅標志著TCL華星在銅酸領域技術實力的夯實與精進,更為企業降本增效提供更大助力。
銅酸蝕刻示意圖
從無到有,從有到優,再到突破行業上限的領先成績,這得益于TCL華星對研發的高度重視和投入,以及多年來不斷夯實的強大人才團隊。TCL華星自研銅酸項目團隊由經驗豐富的專家帶隊,團隊內不乏博士及碩士人才,雄厚的人才基礎及堅定目標持續深耕細作,造就了這一支捷報頻傳的強大科研戰隊,該項目在為企業降本方面帶來的效果也很顯著,從2020年至今,TCL華星的銅酸上的成本已節約數億人民幣。
從企業角度來看,TCL華星銅酸自研項目的成功有利于材料配方基礎能力構建,最終能定制化開發,避免高階產品受制于人。從長期發展的維度看,TCL華星通過創新模式實現上下游整合,調整經營結構,打造材料生態鏈,更能進一步實現結構性降本,有利于提升利潤。最后,TCL華星通過此次項目實現自主配方知識產權,大大增強了公司的技術競爭力與產業鏈話語權。
在經濟深度全球化的今天,維護我國產業鏈、供應鏈安全刻不容緩,尤其是在疫情持續蔓延的背景下,必須在加強維護全球供應鏈穩定的基礎上,重視產業鏈國產化,實現技術自強。面臨供應鏈市場的不確定性,TCL華星將持續重視產業生態建設,保障國內產業鏈供應安全,全面構筑TCL華星在全球半導體顯示領域的影響力,持續為行業、為社會經濟發展做出更多貢獻!
