三星半導體宣布，通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實現(xiàn)了基于MRAM(磁阻隨機存取存儲器)的內(nèi)存內(nèi)計算(In-Memory Computing)，進一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技術的前沿領域。
在傳統(tǒng)的計算體系中，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)要轉(zhuǎn)移到處理芯片的數(shù)據(jù)計算單元中進行處理，對于帶寬、時延要求非常高。
內(nèi)存內(nèi)計算則是一種新的計算模式，也可以叫做“存算一體化”，在內(nèi)存中同時執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)計算處理，無需往復移動數(shù)據(jù)。
同時，內(nèi)存網(wǎng)絡中的數(shù)據(jù)處理是以高度并行的方式執(zhí)行，因此提高性能的同時，還能大大降低功耗。
對比其他存儲器，MRAM磁阻內(nèi)存在運行速度、壽命、量產(chǎn)方面都有明顯優(yōu)勢，功耗也遠低于傳統(tǒng)DRAM，關鍵是還具有非易失的特點，即斷電不會丟失數(shù)據(jù)。
不過一直以來，MRAM磁阻內(nèi)存很難用于內(nèi)存內(nèi)計算，因為它在標準的內(nèi)存內(nèi)計算架構(gòu)中無法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢。
三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”(resistance sum)的新型內(nèi)存內(nèi)計算架構(gòu)，取代標準的“電流總和”(current-sum)架構(gòu)，成功開發(fā)了一種能演示內(nèi)存內(nèi)計算架構(gòu)的MRAM陣列芯片，命名為“用于內(nèi)存內(nèi)計算的磁阻內(nèi)存交叉陣列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。
這一陣列成功解決了單個MRAM器件的小電阻問題，從而降低功耗，實現(xiàn)了基于MRAM的內(nèi)存內(nèi)計算。
按照三星的說法，在執(zhí)行AI計算時，MRAM內(nèi)存內(nèi)計算可以做到98％的筆跡識別成功率、93％的人臉識別準確率。
【來源：驅(qū)動之家】
