全球半導體產能不足在過去的一年里已經不是什么大新聞，不斷增長的需求使得供應短缺情況進一步加劇。不少晶圓生產廠商都選擇擴充產能，比如新建晶圓廠，以滿足市場的需要。三星在今年就宣布，未來十年將投資1515億美元用于晶圓廠的建設。
圖：三星在韓國京畿道華城市建設中的Fab
據TomsHardware報道，近日三星高管在會議上表示，計劃通過原晶圓廠擴建和新建晶圓廠，大幅度提升產能。到2026年，產能將是目前的三倍，盡可能滿足客戶需求。目前三星已經在韓國京畿道平澤市建造一座全新的晶圓廠，接下來可能會在美國德克薩斯州有同樣的行動。需要在四年時間里，將產能增加兩倍，三星看起來對未來非常樂觀。三星是世界第二大晶圓代工廠，僅次于臺積電（TSMC），目前擁有100多個客戶。
除了產能，三星也在推進工藝的研發。三星將會在3nm制程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，第一代3nm工藝已推遲到2022年上半年量產，而第二代3nm工藝將會在2023年量產。三星表示，與原來的5nm工藝相比，首個采用采用MBCFET工藝的3nm GAA制程節點的芯片面積減少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。此外，三星也沒有放棄對現有工藝的改進，之前推出了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工藝，在28nm工藝基礎上加入了14nm工藝使用的FinFET工藝技術，以相對低成本享受到新的技術優勢。
【來源：超能網】
