近期，英特爾公司內部傳出一項頗具顛覆性的觀點，一位高層董事提出，未來的晶體管設計趨勢，尤其是環繞柵極場效應晶體管（GAAFET）與互補場效應晶體管（CFET）等創新技術，或將深刻改變高端芯片制造對先進光刻設備的絕對依賴，特別是針對極紫外（EUV）光刻機這一當前制造業的核心。
長久以來，ASML所生產的EUV光刻機一直是制造7納米及以下節點高端芯片不可或缺的工具，其通過精確“投影”微小電路設計至硅晶圓上，奠定了芯片制造的基礎。然而，這位董事的見解卻向這一傳統認知發起了挑戰。
他指出，諸如GAAFET與CFET這類新型晶體管設計，不僅將在芯片制造流程中提升光刻后步驟的重要性，尤其是刻蝕技術，更可能從根本上動搖光刻在整體工藝中的核心地位。這些設計通過更為復雜的結構，如“環繞”柵極或堆疊晶體管組，對刻蝕工藝提出了前所未有的精確要求。
芯片制造的起始步驟雖仍是光刻，即將設計圖案精準轉移至晶圓表面，但隨后的過程則涉及材料沉積與選擇性刻蝕，以形成最終的晶體管與電路結構。而新型晶體管設計的三維特性，無疑對刻蝕的精準度與復雜性提出了更高要求。
具體來說，為了實現柵極的全方位“包裹”或堆疊結構的構建，芯片制造商必須在多個方向上，尤其是橫向，對晶圓上的多余材料進行精細去除。這一過程不僅考驗著刻蝕技術的極限，也預示著芯片制造技術的未來走向。
因此，該董事認為，未來的芯片制造技術或將迎來重大變革，重點或將從單一依賴光刻機縮小特征尺寸，轉向更為復雜且關鍵的刻蝕工藝上。這一轉變不僅是對現有技術范式的挑戰，更可能開啟芯片制造的新紀元。
