全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML正積極布局未來，著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV光刻技術(shù)，旨在為芯片產(chǎn)業(yè)的長遠發(fā)展奠定基礎(chǔ)。ASML及其光學(xué)領(lǐng)域的獨家合作伙伴蔡司（Carl Zeiss），正共同探索能夠?qū)崿F(xiàn)單次曝光分辨率達到5納米級別的EUV光刻機，這一創(chuàng)新將滿足2035年及以后的高級制程需求。
據(jù)悉，ASML當(dāng)前最先進的光刻機型號已能實現(xiàn)單次曝光8納米分辨率，相較之下，以往的老型號光刻機則需多次曝光才能達到相近的分辨率水平，這不僅拖慢了生產(chǎn)效率，也對良率構(gòu)成了一定限制。
ASML與蔡司正緊密合作，致力于提升光刻機的數(shù)值孔徑（NA），目標(biāo)直指0.7或以上，這一數(shù)值是衡量光學(xué)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)，直接關(guān)系到芯片圖案能否以更高精度投射至晶圓表面。NA值的提升，加之光波長的縮短，將共同推動印刷分辨率邁向新高。
目前市場上主流EUV光刻機的NA值為0.33，而最新一代High NA EUV光刻機已將這一數(shù)值提升至0.55。在此基礎(chǔ)上，ASML正加速向NA 0.7乃至更高數(shù)值的Hyper NA領(lǐng)域邁進，以期在光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新的突破。
盡管ASML尚未公布這一革命性光刻機的具體上市時間表，但其持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與突破，無疑為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展注入了強勁動力。
