臺積電在美國亞利桑那州的晶圓廠建設(shè)進展迅速，據(jù)臺媒報道，為滿足客戶對美國制造需求的激增，該公司在當(dāng)?shù)氐牡诙A廠（P2）已提前完成建設(shè)。這座晶圓廠將配置先進的3nm制程技術(shù)，并正加速推進量產(chǎn)計劃，預(yù)計從建設(shè)完成到量產(chǎn)的周期將被縮短至大約兩年。
供應(yīng)鏈消息人士指出，臺積電亞利桑那州二廠的提前完工，是對客戶AI相關(guān)需求增長及美國政府關(guān)稅政策的積極回應(yīng)。據(jù)悉，該廠的機臺有望在明年9月開始遷入，而首批晶圓預(yù)計將在2027年產(chǎn)出。盡管晶圓廠建設(shè)完成后，內(nèi)部配置調(diào)整通常需要約兩年時間，但臺積電此次動作迅速，展現(xiàn)了其高效的建設(shè)能力。
臺積電的加速建設(shè)不僅有利于自身產(chǎn)能的擴張，也為相關(guān)供應(yīng)鏈企業(yè)帶來了商機。例如，臺系廠務(wù)工程企業(yè)如漢唐、帆宣等，由于已積累了建設(shè)第一座晶圓廠（P1）的經(jīng)驗，有望在此次建設(shè)中改善長期盈利能力。
為配合臺積電亞利桑那州二廠的建設(shè)，特殊氣體和特殊化學(xué)品的供應(yīng)商也將陸續(xù)接到臺積電的訂單。然而，值得注意的是，盡管臺積電在美國建設(shè)了兩座晶圓代工廠，但由于缺乏配套的先進封裝廠，因此生產(chǎn)的4nm和3nm芯片仍需運回中國臺灣進行封裝。
臺積電此前已宣布將在美國投資建設(shè)兩座先進封裝廠，但目前仍處于評估階段，包括人力資源、工廠許可等復(fù)雜流程。預(yù)計第一座先進封裝廠（AP1）最快將在明年第三季度動工，并主要以SoIC（系統(tǒng)整合芯片）封裝技術(shù)為主。對于其他封裝技術(shù)，如CoWoS，仍需運回中國臺灣進行。
臺積電在美國的整體建廠計劃規(guī)模龐大，包括三座晶圓廠、兩座先進封裝設(shè)施及一座研發(fā)中心。目前，4nm晶圓廠已量產(chǎn)，3nm晶圓廠預(yù)計2027年量產(chǎn)，而更先進的2nm或更先進制程技術(shù)的晶圓廠則計劃在2029至2030年間量產(chǎn)。不過，有報道稱該計劃已提前六個月。
與此同時，臺積電今年在中國臺灣也展開了大規(guī)模的建設(shè)，包括9座新廠和11個生產(chǎn)線的建設(shè)，特別是即將上線的2nm制程和需求旺盛的先進封裝產(chǎn)能。據(jù)透露，臺積電高雄2nm Fab 22廠將在今年第三季度裝機，而三廠則計劃在2026年第一季度完工。先進制程的研發(fā)也在持續(xù)進行，預(yù)計這些新技術(shù)將率先在中國臺灣投入生產(chǎn)。
