美光科技近日震撼發布了其全新的2600系列QLC（四位單元）固態硬盤，這款硬盤通過創新的動態優化緩存技術，成功將QLC閃存的寫入性能提升至與TLC（三位單元）相當的水平，打破了業界對QLC性能的固有認知。
在NAND閃存領域，根據存儲單元中存儲的位數不同，可分為SLC（單位元）、MLC（雙位元）、TLC和QLC四種類型。雖然更高的位數能顯著降低生產成本，但隨之而來的是寫入性能的下降和耐用性的挑戰。美光2600系列QLC固態硬盤采用了自適應寫入技術（AWT），通過構建一個包含SLC緩存和TLC緩存的兩級架構，有效提升了寫入性能。SLC緩存負責處理新寫入的數據，而當SLC緩存滿載時，TLC緩存則開始發揮作用。當兩者都滿載時，AWT會在硬盤的短暫空閑時間內，將數據遷移至QLC模式。AWT不僅能持續進行數據遷移，還能根據實際需求動態調整SLC和TLC區域的大小，確保硬盤始終保持最佳性能。
美光移動與客戶業務部門的執行副總裁兼總經理馬克·蒙蒂爾斯對此表示：“美光2600 QLC固態硬盤的性能已經超越了市場上主流TLC產品的水平。這一創新成果標志著QLC NAND在商業應用上的重大突破?！?/p>
2600系列QLC固態硬盤是一款無DRAM設計的產品，搭載了群聯PS5029-E29T四通道控制器。它采用美光先進的276層（G9）3D NAND技術制造的2Tb芯片，擁有六平面架構和NVMe PCIe Gen 4×4接口。美光強調，該硬盤提供了目前客戶端固態硬盤中最快的NAND I/O速率，特別是在連續寫入高達800GB數據時，順序寫入速度提升了四倍。與其他無DRAM的TLC和QLC固態硬盤相比，2600系列在順序和隨機性能上都表現出色，輕松超越了競爭對手的產品。
為了滿足不同用戶的需求，2600系列提供了512GB、1TB和2TB三種容量選擇。隨著容量的增加，硬盤的隨機和順序性能以及耐用性指標都有所提升。與2024年4月推出的2500系列QLC硬盤相比，2600系列在性能上有所提升，盡管提升幅度并不顯著。例如，在2TB級別上，2600系列的順序寫入速度從2500系列的6GBps提升至6.5GBps，提升幅度為7.7%。然而，在耐用性方面，2600系列2TB版本的700TB寫入耐久性相比2500系列的600TB有了17%的顯著提升。
美光還發布了AWT技術簡報，詳細闡述了AWT的工作原理以及SLC、TLC和QLC區域邊界在AWT處理過程中的動態調整機制。值得注意的是，并非所有基于2600的固態硬盤都會采用AWT技術，美光也提供了不含AWT技術的2600系列版本供客戶選擇。
目前，搭載AWT技術的2600系列QLC固態硬盤正在美光的OEM客戶處進行認證。隨著認證的完成，這款創新產品有望迅速進入市場，為消費者和企業用戶帶來更加出色的存儲體驗。
