近日，據(jù)韓國媒體ETNews報道，SK海力士正全力推進其全球領(lǐng)先的16層堆疊（16Hi）HBM3E內(nèi)存的生產(chǎn)準備工作。目前，全面生產(chǎn)測試已正式啟動，這一舉措為明年初的樣品展示以及2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)和供應(yīng)奠定了堅實基礎(chǔ)。
SK海力士的這款16Hi HBM3E內(nèi)存，通過采用24Gb DRAM芯片和先進的MR-RUF鍵合技術(shù)，成功實現(xiàn)了單堆棧48GB的超大容量。與前一代12Hi HBM3E相比，該產(chǎn)品在人工智能訓練和推理能力上分別實現(xiàn)了18%和32%的顯著提升。16Hi堆疊技術(shù)預計將在下一代HBM4內(nèi)存中得到全面應(yīng)用。
報道指出，SK海力士目前正在積極引進和測試生產(chǎn)16Hi HBM3E所需的新工藝設(shè)備，并對現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備進行優(yōu)化和檢修。據(jù)知情人士透露，該公司在這一新型內(nèi)存的關(guān)鍵工藝測試中已取得令人滿意的成果。
這一系列的舉措表明，SK海力士正致力于推動內(nèi)存技術(shù)的不斷創(chuàng)新與升級。通過不斷提升產(chǎn)品的性能和容量，該公司正努力滿足日益增長的市場需求，特別是在人工智能和高性能計算領(lǐng)域。
業(yè)內(nèi)人士認為，SK海力士在16Hi HBM3E內(nèi)存上的成功，不僅將為其帶來顯著的競爭優(yōu)勢，還將推動整個內(nèi)存行業(yè)的發(fā)展。隨著技術(shù)的不斷進步和市場的不斷擴大，SK海力士有望在未來繼續(xù)引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)的潮流。
