近期，三星電子的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)，其曾經(jīng)的營收支柱地位開始動搖。在這一背景下，一個關(guān)鍵性的人事變動引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉，一位在臺積電擁有近二十年工作經(jīng)驗的資深芯片專家，Jing-Cheng Lin，已正式離開了三星。
Jing-Cheng Lin自1999年起在臺積電工作，直至2017年。他在2022年選擇加入三星，擔(dān)任半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實驗室的副總裁，主要負(fù)責(zé)推動芯片封裝技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。這一舉動在當(dāng)時被視為三星加強(qiáng)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)的重要一步。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)逐漸逼近摩爾定律的物理極限，封裝技術(shù)的進(jìn)步對于推動下一代芯片的研發(fā)至關(guān)重要。三星自2022年起，便大力投資組建先進(jìn)的封裝團(tuán)隊，而Jing-Cheng Lin的加入無疑為三星在這一領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。他在三星期間，為HBM4內(nèi)存的封裝技術(shù)開發(fā)做出了顯著貢獻(xiàn)。
HBM4作為下一代高性能內(nèi)存，對于三星在人工智能領(lǐng)域的布局具有舉足輕重的意義。由于三星在HBM3E的市場份額上落后于競爭對手SK海力士，因此公司將重心轉(zhuǎn)向了HBM4的研發(fā)，期望通過這一技術(shù)突破，在人工智能的浪潮中占據(jù)領(lǐng)先地位。而Jing-Cheng Lin在HBM4封裝技術(shù)上的貢獻(xiàn)，無疑為三星的這一戰(zhàn)略提供了有力的支持。
然而，就在近日，Jing-Cheng Lin在領(lǐng)英上確認(rèn)了自己已從三星離職的消息。他表示，自己的兩年合同已經(jīng)到期，并回顧了自己在三星期間為先進(jìn)封裝技術(shù)所做出的努力。除了HBM4的封裝技術(shù)外，他還提到了自己在3D IC混合銅鍵合技術(shù)以及HBM-16H研發(fā)方面的貢獻(xiàn)。這些技術(shù)的突破，無疑為三星在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。
Jing-Cheng Lin的離職，無疑給三星的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來了新的挑戰(zhàn)。但無論如何，他在三星期間的貢獻(xiàn)是不可忽視的。他的離開，或許也預(yù)示著三星在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的新一輪調(diào)整和布局。
